公开(公告)号：CN110474230B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201910393811.5

申请日：2019-05-13

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 哈拉尔德·柯尼希 ,  延斯·埃贝克 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  斯文·格哈德 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223

摘要： 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113490996B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202080017652.X

申请日：2020-02-21

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德里亚斯·科勒 ,  贝恩德·迈尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/12 ,  H01S5/323

摘要： 提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：‑包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底(2)，‑设置在所述半导体衬底(2)上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构(3)，以及‑具有至少一个n掺杂层(5)的缓冲层(4)，其中所述n掺杂层(5)包含氧。此外，提出一种具有生长结构(1)的发射辐射的半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN110419103B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201880017240.9

申请日：2018-03-06

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 诺温·文马尔姆 ,  安德烈亚斯·普洛斯尔

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/40 ,  H01L33/60

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供衬底(1)，B)提供金属液体(2)，所述金属液体结构化地设置在衬底(1)上并且具有至少一种第一金属(Me1)，C)提供半导体芯片(3)，所述半导体芯片分别在其背侧(31)上具有金属封闭层(4)，其中金属封闭层具有至少一种与第一金属(Me1)不同的第二金属(Me2)，以及D)将半导体芯片(3)自组织地设置(5)到金属液体(2)上，使得第一金属(Me1)和第二金属(Me2)构成至少一种金属间化合物(6)，所述金属间化合物与金属液体(2)的熔化温度相比具有更高的再熔化温度，其中金属间化合物(6)用作为在衬底(1)与半导体芯片(3)之间的连接层。

公开(公告)号：CN112970097B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980071907.8

申请日：2019-10-24

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

摘要： 提出一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1)，所述转移工具具有：‑粘性压模(3)，所述粘性压模(3)具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4)，和‑用于调节粘附面(4)的面积的装置(15)，其中‑所述粘性压模(3)构成为可变形的，‑所述粘附面(4)通过所述粘性压模(3)的外面的一部分形成，和‑所述粘附面(4)的面积能够通过所述粘性压模(3)的变形来调节。此外，提出一种用于转移半导体芯片(2)的方法。

公开(公告)号：CN110323255B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910248956.6

申请日：2019-03-29

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 彼得·布里克 ,  胡贝特·哈尔布里特 ,  米科·佩雷莱

IPC分类号： H10K59/50 ,  G09F9/33 ,  G02B30/27 ,  G02F1/13

摘要： 在至少一个实施方式中，发射辐射的设备(100)包括辐射源(5)和发射面(1)，在运行时出自所述辐射源(5)的辐射穿过所述发射面。发射面包括多个像素(10)。每个像素包括多个子像素(11，12)。在发射面的俯视图中观察，每个像素形成发射面的部分面并且每个子像素形成这种部分面的一个部段。在每个像素中，至少第一子像素(11)可单独地并且彼此无关地运行。一个像素的所有子像素共计为所述像素的面积的至多50％，使得在所有子像素同时运行时经由所述像素的面积的至多50％发射辐射。

公开(公告)号：CN110233196B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201910167255.X

申请日：2019-03-06

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 布丽塔·格厄茨 ,  弗兰克·辛格

IPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

摘要： 本发明涉及一种光电子器件和一种发光机构。在一个实施方式中，光电子器件(100)包括：载体(1)，所述载体具有上侧(11)和与上侧相对置的下侧(12)；设置在载体的上侧上的光电子半导体芯片(2)；在半导体芯片上的具有无机发光材料的第一转换层(3)；和实心体(4)，在所述实心体中分布有有机发光材料。半导体芯片在运行中经由一个侧或多个侧(20)发射初级辐射。第一转换层覆盖半导体芯片的所有发射辐射的侧，所述侧不朝向载体。实心体设置和固定在载体上并且与载体至少间接接触。此外，实心体与半导体芯片的发射辐射的侧至少通过第一转换层和/或载体间隔开。

公开(公告)号：CN110071100B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201910057767.0

申请日：2019-01-22

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 彼得·布里克 ,  斯特凡·格勒奇 ,  斯特凡·帕夫利克 ,  迈克尔·维特曼 ,  乌利·希勒

IPC分类号： H01L25/16 ,  H05B45/30 ,  G05D25/02 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H05B45/20 ,  H01L27/15

摘要： 提出一种发射辐射的设备(1)，所述发射辐射的设备包括：‑像素化的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设置用于发射具有第一峰值波长(λ1)的第一辐射(S1)并且具有多个彼此并排设置的半导体区域(20)，‑转换元件(3)或色彩控制机构，所述转换元件或色彩控制机构设置用于将第一辐射(S1)的至少一部分转换成具有第二峰值波长(λ2)的第二辐射(S2)，和‑色彩控制元件(4)，所述色彩控制元件设置用于适应性地调节色温。

公开(公告)号：CN110383504B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201880015607.3

申请日：2018-03-01

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 马库斯·平德尔 ,  西蒙·耶雷比奇

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50

摘要： 在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。

公开(公告)号：CN116515479A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310221710.6

申请日：2017-08-10

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 马库斯·西巴尔德 ,  多米尼克·鲍曼 ,  蒂姆·菲德勒 ,  斯特凡·朗格 ,  胡贝特·胡佩茨 ,  丹尼尔·杜茨勒 ,  托尔斯滕·施罗德 ,  丹尼尔·比希勒 ,  古德龙·普伦德里希 ,  西蒙·佩施克 ,  格雷戈尔·赫德尔 ,  吉娜·阿赫赖纳 ,  克劳斯·维斯特

IPC分类号： C09K11/64

摘要： 提出一种发光材料。发光材料具有化学通式：(MA)a(MB)b(MC)c(MD)d(TA)e(TB)f(TC)g(TD)h(TE)i(TF)j(XA)k(XB)l(XC)m(XD)n:E。在此，MA选自一价金属，MB选自二价金属，MC选自三价金属，MD选自四价金属，TA选自一价金属，TB选自二价金属，TC选自三价金属，TD选自四价金属，TE选自五价元素，TF选自六价元素，XA选自包括卤素的元素，XB选自如下元素：O、S和由其构成的组合，‑E＝Eu、Ce、Yb和/或Mn，XC＝N并且XD＝C。还适用：a+b+c+d＝t；e+f+g+h+i+j＝u；k+l+m+n＝v；a+2b+3c+4d+e+2f+3g+4h+5i+6j‑k‑2l‑3m‑4n＝w；0.8≤t≤1；3.5≤u≤4；3.5≤v≤4；(‑0.2)≤w≤0.2并且0≤m＜0.875v和/或v≥l＞0.125v。

公开(公告)号：CN109075183B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201780022414.6

申请日：2017-03-29

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 于尔根·莫斯布格尔 ,  马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ,  弗兰克·辛格

IPC分类号： H01L27/15 ,  H05B45/58 ,  H05B45/30 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

摘要： 本发明涉及一种发光模块(1)，其具有：多个发射区域，所述发射区域构成为用于：在运行中发射光，所述发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)，所述第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)，所述第二类型的第一发射区域和第二发射区域发射第二色坐标的光；和用于对发射区域通电的操控设备(2)，其中：多个发射区域设置在共同的半导体芯片上，第一色坐标与第二色坐标不同，第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)彼此相邻，第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)彼此相邻，操控设备(2)构成为用于：将全部发射区域彼此分开地运行，操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第一类型的发射区域(101，102)，和操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第二类型的发射区域(201，202)。