发明公开
- 专利标题: 硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of holographic 3D (three-dimensional) display screen of cadmium selenide quantum dot-doped liquid crystal material
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申请号: CN201611123179.5申请日: 2016-12-08
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公开(公告)号: CN106833679A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 高洪跃 , 郑志强 , 许凡 , 周文 , 姚秋香 , 刘攀 , 刘吉成
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: C09K19/58
- IPC分类号: C09K19/58 ; G02F1/1333 ; G03H1/22
摘要:
本发明公开了一种硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法,按照一定比例,将硒化镉量子点掺入液晶当中,进而形成全息材料,之后在将材料注入两片ITO玻璃中而形成全息3D显示屏。本发明制备了硒化镉量子点掺入液晶而形成全息材料,系统选用物光和参考光来自激光,读出光来自可见光。本发明制备的全息显示材料为全息真3D显示提供载体,使得该材料在全息显示系统中具有动态刷新特性,提高了衍射效率,缩短了响应时间,全息3D显示屏能应用于全息图打印、全息光盘、实时动态全息显示,全息照相等领域。