- 专利标题: 一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法
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申请号: CN201710052913.1申请日: 2017-01-25
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公开(公告)号: CN106834765B公开(公告)日: 2018-10-23
- 发明人: 邢鹏飞 , 金星 , 孔剑 , 王敬强 , 刘洋 , 高波 , 都兴红 , 涂赣峰
- 申请人: 东北大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 专利权人: 东北大学
- 当前专利权人: 东北大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 梅洪玉
- 主分类号: C22C1/02
- IPC分类号: C22C1/02 ; C22C1/06 ; C22C21/02 ; C22C23/00 ; C22C24/00 ; C22C18/00 ; C22C21/08 ; C22C21/00 ; C22C18/04
摘要:
一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法,属于二次资源利用的技术领域。具体制备方法为:先将晶体硅碳化硅切割废料进行分选富集,得到Si富集料和SiC富集料,或者对切割废料不进行任何处理,其次根据所需配制的含硅合金准备其他金属;然后,将其他金属和Si富集料或切割废料置于熔炼炉中进行合金熔炼,待熔炼完全后进行扒渣处理;最后,将合金熔体浇入模具中,冷却,得到含硅合金。该方法实现了晶体硅的碳化硅切割废料的高效回收利用,不仅变废为宝,而且减少了环境污染。该方法具有流程短、能耗低、简单易行等优点,易于实现工业化生产。
公开/授权文献
- CN106834765A 一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法 公开/授权日:2017-06-13