发明公开
CN106847334A 用于双端口静态存储器的写辅助电路
无效 - 撤回
- 专利标题: 用于双端口静态存储器的写辅助电路
- 专利标题(英): Writing auxiliary circuit for double-port static memory
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申请号: CN201710131511.0申请日: 2017-03-07
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公开(公告)号: CN106847334A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 宋俊华
- 申请人: 苏州中芯原微电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路198号博济科技创新园11号楼205室
- 专利权人: 苏州中芯原微电子有限公司
- 当前专利权人: 苏州中芯原微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路198号博济科技创新园11号楼205室
- 代理机构: 江阴大田知识产权代理事务所
- 代理商 陈建中
- 主分类号: G11C11/419
- IPC分类号: G11C11/419 ; G11C7/10 ; G11C8/16
摘要:
本发明公开了一种用于双端口静态存储器的写辅助电路,所述写辅助电路包括:将A端口位元线和B端口位元线锁定在低电平的位元线低电平锁定模块,将A端口反相位元线和B端口反相位元线锁定在高电平的反相位元线高电平锁定模块,将A端口反相位元线和B端口反相位元线锁定在低电平的反相位元线低电平锁定模块,将A端口位元线和B端口位元线锁定在高电平的位元线高电平锁定模块,A端口写入使能控制线,以及B端口写入使能控制线。本发明用于双端口静态存储器的写辅助电路,可提高数据写入的可靠性。
IPC分类: