Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN201710061288.7Application Date: 2012-06-29
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Publication No.: CN106847784BPublication Date: 2019-06-14
- Inventor: 绀野顺平 , 西田隆文 , 木下顺弘 , 长谷川和功 , 杉山道昭
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 王娟娟
- Priority: 2011-145431 2011.06.30 JP
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L21/683 ; H01L21/48 ; H01L21/56 ; H01L21/60

Abstract:
本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
Public/Granted literature
- CN106847784A 半导体器件 Public/Granted day:2017-06-13
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IPC分类: