Invention Grant

半导体器件
Abstract:
本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0