发明公开
CN106868580A 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法
- 专利标题(英): Electrochemical corrosion based preparation method for silicon nanoribbon
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申请号: CN201710118094.6申请日: 2017-03-01
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公开(公告)号: CN106868580A公开(公告)日: 2017-06-20
- 发明人: 陈松岩 , 张子启 , 韩响 , 林绍铭 , 李成 , 黄巍
- 申请人: 厦门大学
- 申请人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 代理机构: 厦门南强之路专利事务所
- 代理商 马应森
- 主分类号: C25F3/12
- IPC分类号: C25F3/12 ; C30B33/10 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法,涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形,在硅片背面溅射铜电极;将硅片置于电化学腐蚀槽中;配制电解液;分别把硅片的背电极接电源阳极,电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离;将得到的硅片冲洗,烘干,即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料,所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
公开/授权文献
- CN106868580B 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法 公开/授权日:2018-12-14