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公开(公告)号：CN117947524A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410193616.9
申请日：2024-02-21
申请人： 山东大学
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/40 , C30B33/00 , C25F3/12 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/26
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，涉及多孔氮化镓单晶电极材料及制备方法与应用。本发明通过将重Si掺杂的氮化镓单晶进行切割、清洗和刻蚀，得到表面均匀分布六方多孔的氮化镓单晶电极材料。所得材料保留了氮化镓单晶的本征稳定性，有利于多孔氮化镓单晶广泛应用于储能系统，特别是应用于高温/高压/化学恶劣的环境中；其多孔结构有效扩大了其比表面积，暴露更多电化学反应位点，继而能够增加超级电容器比容量；材料中的硅原子掺杂能够增加载流子浓度；其中的垂直孔道结构为其在电化学存储过程中电子或者离子的扩散和转移提供了通道，有效提高了反应动力学，使多孔氮化镓单晶作为电极材料展现了优异的倍率性能。
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公开(公告)号：CN116660513A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310524882.0
申请日：2023-05-10
申请人： 南京师范大学
IPC分类号： G01N33/53 , B01L3/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25F3/12 , C25D11/32 , G01N21/65 , G01N33/531 , G01N33/543
摘要： 本发明公开了一种基于纳米银‑多孔硅同时SERS检测多种真菌毒素生物芯片传感器及其制备方法和应用，该传感器包括SERS基底和SERS标签两部分组成，SERS基底是由多孔硅表面磁控溅射上银纳米颗粒和银纳米颗粒表面连接三种真菌毒素人工抗原组成，SERS标签连接有尼罗蓝和对应的真菌毒素抗体的金纳米粒子。本发明通过各真菌毒素和多孔硅银表面的真菌毒素人工抗原能够竞争结合SERS标签上面的真菌毒素抗体，通过检测SERS标签表面NBA的拉曼信号，实现三种真菌毒素同时定量分析，检测速度快、灵敏度高，同时各种毒素在茯苓、麦芽和葛根中回收率均大于75％，同批次的变异系数低于5.2％，不同批次的变异系数低于7.8％。
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公开(公告)号：CN116583164A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310573306.5
申请日：2023-05-19
申请人： 武汉赛格瑞新材料有限公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , C25F3/12
摘要： 本发明提供了一种热电器件的n型碲化铋晶片表面粗化的制备方法，本发明采用电解工艺，利用电场驱动钠离子嵌入n型碲化铋晶片中的晶胞的Te‑Te层间，致使晶格坍塌开裂，导致材料局部剥离脱落，从而达到表面粗化的目的；避免了传统喷砂处理对晶片造成的损害，且相比酸腐蚀处理，本发明的n型碲化铋晶片表面粗化处理效率高，适合大规模生产，且电解液对环境及操作人员不会产生伤害；该绿色环保的n型碲化铋晶片表面处理方法提高n型碲化铋晶片的基体的表面粗糙度，增强其与镀层间的结合强度，延长碲化铋型的热电器件的服役寿命。
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公开(公告)号：CN114150362B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210115945.2
申请日：2022-02-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述半导体衬底片的第一表面，从而对所述半导体衬底片的第一表面上未覆盖所述掩膜的半导体暴露部分进行刻蚀，刻蚀完成后得到嵌入式微流体冷却沟道，将包含嵌入式微流体冷却沟道作为冷却剂的流经通道用于对芯片进行降温。本发明能够在半导体衬底片上实现宽度和深度均可控的嵌入式微流体冷却沟道，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113106531B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110437505.4
申请日：2021-04-22
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C25F3/12
摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号：CN114150362A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202210115945.2
申请日：2022-02-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述半导体衬底片的第一表面，从而对所述半导体衬底片的第一表面上未覆盖所述掩膜的半导体暴露部分进行刻蚀，刻蚀完成后得到嵌入式微流体冷却沟道，将包含嵌入式微流体冷却沟道作为冷却剂的流经通道用于对芯片进行降温。本发明能够在半导体衬底片上实现宽度和深度均可控的嵌入式微流体冷却沟道，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN112626622A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011493956.1
申请日：2020-12-17
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。
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公开(公告)号：CN111962148A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010772092.0
申请日：2020-08-04
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C30B25/20 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B33/06 , C30B33/10 , C30B33/02 , C25F3/12 , C30B29/64
摘要： 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。
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公开(公告)号：CN109137059B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811186718.9
申请日：2018-10-12
申请人： 湖南文理学院
发明人： 龙永福
摘要： 本发明公开了一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，该方法是将常规双槽腐蚀时使用两个圆形平板薄铂片作为电极，且在两个平行电极之间放置硅片，硅片轴线、两个圆形平板薄铂片轴线三者重合，硅片离左、右两个电极的距离相等，硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分；采用恒流源对硅片进行电化学腐蚀形成圆柱形多孔硅薄膜；然后将硅基圆柱形的多孔硅膜浸入氢氧化钠溶液中，并以圆柱形的多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆柱形多孔硅，导致在多孔硅圆柱表面形成由多孔硅材料构成的单面凸透镜。通过本发明的方法，能获得纳米多孔硅单面凸透镜，能广泛应用于微机电系统，为微机光电系统领域作出了重大的贡献。
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公开(公告)号：CN111364092A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010222052.9
申请日：2020-03-26
申请人： 新疆艾旗斯德检测科技有限公司
摘要： 本发明为一种银-多孔硅基表面增强拉曼散射的生物检测芯片的制备方法。一种银-多孔硅基表面增强拉曼散射的生物检测芯片的制备方法，包括S10：以硅片为阳极，铂片为阴极，将阳极和阴极置于电解液中进行阳极腐蚀反应，得多层布拉格多孔硅衬底；S20：将所述的多层布拉格多孔硅基底置于硝酸银溶液中进行浸渍处理后，取出干燥，再进行热处理，得所述的银-多孔硅基表面增强拉曼散射的生物检测芯片。本发明使用多孔硅作为光子晶体，并使用银颗粒作为增强电磁场的介质，具有放大倍数高、性质稳定、可长期使用、应用范围广、操作简便，人为操作误差较小的特点，可有效放大拉曼信号至几百万倍并减小荧光的干扰，且大大提高保质期、重复性。
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