发明授权
- 专利标题： 集成电路装置及其三维扇出结构和制造方法
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申请号： CN201610163609.X申请日： 2016-01-12
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公开(公告)号： CN106960799B公开(公告)日： 2022-11-22
- 发明人: 高伟 , 龚志伟 , 叶德洪
- 申请人： 恩智浦美国有限公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘倜
- 主分类号： H01L21/50
- IPC分类号： H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/488 ; H01L23/52 ; H01L23/31
摘要：
制造用于集成电路装置的3D扇出结构的方法，包括：提供衬底载体，其具有相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间延伸的孔。将第一半导体管芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一管芯覆盖衬底载体的孔。将封装剂和第二管芯沉积放置在衬底载体的孔内，使得第二管芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面。随后将一个或者多个再分配层施加至衬底载体的第二表面上，来形成3D扇出结构。
公开/授权文献
- CN106960799A 制造三维扇出结构的方法 公开/授权日：2017-07-18
IPC分类:
