发明授权
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
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申请号: CN201710017972.5申请日: 2017-01-11
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公开(公告)号: CN106960870B公开(公告)日: 2021-09-10
- 发明人: 金辅淳 , 金炫知 , 李正允 , 朴起宽 , 朴商德 , 吴怜默 , 李庸硕
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 刘灿强; 尹淑梅
- 优先权: 10-2016-0003178 20160111 KR 10-2016-0018929 20160218 KR
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/423
摘要:
提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括:基底,包括第一区域和第二区域;第一布线图案,设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开;第二布线图案,设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开;第一栅极绝缘膜,围绕第一布线图案的周边;第二栅极绝缘膜,围绕第二布线图案的周边;第一栅电极,设置在第一栅极绝缘膜上,与第一布线图案交叉,并且包括在其内的第一金属氧化物膜;第二栅电极,设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉;第一栅极间隔件,位于第一栅电极的侧壁上;第二栅极间隔件,位于第二栅电极的侧壁上。
公开/授权文献
- CN106960870A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2017-07-18