发明公开
- 专利标题: 提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置及其处理方法
- 专利标题(英): Pretreatment device and method for improving uniformity of etched texturing surfaces of polycrystalline wafers
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申请号: CN201611242271.3申请日: 2016-12-29
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公开(公告)号: CN107068802A公开(公告)日: 2017-08-18
- 发明人: 钱小芳
- 申请人: 中建材浚鑫科技股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
- 专利权人: 中建材浚鑫科技股份有限公司
- 当前专利权人: 中建材浚鑫科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
- 代理机构: 南京苏科专利代理有限责任公司
- 代理商 姚姣阳
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L21/02 ; C30B33/10
摘要:
本发明提供了提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置,包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮,所述传输滚轮置于所述恒温水下,待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上,所述传输滚轮转动,带动所述待刻蚀硅片运动,所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。本发明的有益效果体现在:将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8‑10℃,与刻蚀槽温度相当,可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性,降低电池片的色差片比例,提高电池片的合格率。
IPC分类: