• 专利标题: 自旋转移力矩存储器中的写操作
  • 专利标题(英): Write operations in spin transfer torque memory
  • 申请号: CN201580063627.4
    申请日: 2015-11-24
  • 公开(公告)号: CN107077875A
    公开(公告)日: 2017-08-18
  • 发明人: H.奈伊米
  • 申请人: 英特尔公司
  • 申请人地址: 美国加利福尼亚州
  • 专利权人: 英特尔公司
  • 当前专利权人: 英特尔公司
  • 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
  • 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 姜冰; 付曼
  • 优先权: 14/580141 20141222 US
  • 国际申请: PCT/US2015/062289 2015.11.24
  • 国际公布: WO2016/105797 EN 2016.06.30
  • 进入国家日期: 2017-05-23
  • 主分类号: G11C7/04
  • IPC分类号: G11C7/04 G11C11/16
自旋转移力矩存储器中的写操作
摘要:
描述用于自旋转移力矩(STT)存储器中的写操作的设备、系统和方法。在一个实施例中,一种存储器包括:至少一个自旋转移力矩(STT)存储器装置;邻近STT存储器装置的温度传感器;以及控制器,包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑,以监视温度传感器的输出,在温度传感器的输出未能超过阈值温度时实现第一写操作协议,以及在温度传感器的输出超过阈值温度时实现第二写操作协议。还公开并且要求保护其他实施例。
公开/授权文献
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