公开(公告)号：CN118571291A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410625265.4

申请日：2024-05-20

申请人： 吉林大学

发明人： 陈长鸣 ,  孙芳杰 ,  费腾 ,  崔安琪 ,  孙相宜 ,  林航 ,  赵华跃 ,  张大明

IPC分类号： G11C16/18 ,  G11C7/04

摘要： 一种基于光致变色聚合物的可擦写光信息存储方法，属于光信息存储技术领域。由于光致变色分子在紫外光的辐射下结构发生改变，该化合物由原本的无色变化为蓝色，且该过程可逆，在红外光或者热的作用下恢复至原始的无色状态。将光致变色分子溴代吲哚啉螺苯并吡喃掺杂在聚甲基丙烯酸甲酯‑甲基丙烯酸缩水甘油酯材料中，形成热稳定性好、透明度高、灵敏度高、耐腐蚀的光致变色聚合物。本发明利用掩膜版将微‑纳尺寸的光信息紫外直写入光致变色聚合物芯层中，并且写入信息具有高对比度，然后在可见光室温下便可实现光信息的擦除。本发明无需光热转化就可以直接实现信息存储，制备的光信息存储器件具有更高的分辨率、更快的存储速度及更大的存储密度。

公开(公告)号：CN118335152B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410748903.1

申请日：2024-06-12

申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 ,  武汉泰存科技有限公司

发明人： 孙成思 ,  何瀚 ,  王灿 ,  邱宏浩 ,  周彭全 ,  汪慧 ,  赵丽红

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C7/04 ,  G11C7/22

摘要： 本申请涉及存储技术领域，提供了一种闪存颗粒筛选方法及装置，该方法包括：对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，对多组样本闪存在第一预设温度下写入数据后，然后在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界；对经过第二预设温度后的多组样本闪存，在第一预设温度下再次写入数据，并根据在第一预设温度下的二次读取数据信息确定闪存在不同时间的数据保持能力边界；根据跨温读写能力边界及数据保持能力边界确定在第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件并对闪存进行筛选，以获得筛选结果，本申请可以快速有效的筛选出需要的低温闪存。

公开(公告)号：CN118445216A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311607978.X

申请日：2023-11-28

申请人： 荣耀终端有限公司

发明人： 李东承 ,  安健 ,  解鑫 ,  张丹 ,  贾梦华

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G11C7/04 ,  G11C7/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

摘要： 本申请提供一种数据读写方法、电子设备、存储介质及芯片，涉及存储器技术领域，该方法将超低温(或超高温)写入物理页中的数据，在环境温度恢复正常温度时读出、并重新在正常温度下写入新的物理页中；由于超低温(或超高温)和正常温度之间的温度差异不太大，VT偏移不严重，所以，在正常温度下读出超低温(或超高温)写入的数据的可靠性较高；同样，在正常温度下重新写入的数据，无论在超低温、还是超高温还是正常温度下读出时，读出时的温度和写入时的温度的差异都不太大，VT偏移不严重，所以在正常温度下写入的数据，在超低温、正常温度或超高温下读出时的可靠性都比较高。

公开(公告)号：CN118202412A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280074127.0

申请日：2022-10-27

申请人： 超威半导体公司

发明人： 亚伦·D·威利 ,  卡西克·戈帕拉克里希南 ,  普拉迪普·贾亚拉曼

IPC分类号： G11C11/4076 ,  G11C11/406 ,  G11C7/04 ,  G11C11/4096

摘要： 数据处理系统包括耦接至存储器的数据处理器。该数据处理器包括：参考时钟生成电路，该参考时钟生成电路用于提供参考时钟信号；第一延迟电路，该第一延迟电路用于将该参考时钟信号延迟第一量以提供命令信号和地址信号；第二延迟电路，该第二延迟电路用于将该参考时钟信号延迟第二量以提供读取数据信号；校准电路，该校准电路用于确定该第一量和该第二量的当前值；以及补偿电路，该补偿电路用于根据测得的温度变化、至少一个电压灵敏度系数和至少一个温度灵敏度系数计算该第一量和该第二量的漂移并根据该漂移更新该第一量和该第二量。

公开(公告)号：CN111919254B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980022333.5

申请日：2019-03-06

申请人： 美光科技公司

发明人： M·N·凯纳克 ,  S·K·瑞特南 ,  Z·罗 ,  N·P·G·拉奥 ,  L·J·考德莱 ,  V·P·拉亚普鲁 ,  P·R·哈亚特 ,  S·诺埃尔

IPC分类号： G11C7/04 ,  G11C16/10 ,  G06F11/10 ,  G06F3/06

摘要： 识别与存储器装置相关的温度。确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件。响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件，将用以将数据存储于所述存储器装置处的编程操作的参数从第一值调整到第二值。

公开(公告)号：CN118098299A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211429665.5

申请日：2022-11-15

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 杨杰

IPC分类号： G11C7/04 ,  G11C7/22 ,  G11C5/14

摘要： 本公开提供了一种存储器、存储器的保护电路、方法及设备，涉及半导体技术领域。该方法包括：温度感应模块，用于获取所述存储器的温度数据，以及在所述温度数据满足预设温度异常条件的情况下，向保护模块发送使能信号；所述保护模块，用于响应于所述使能信号，控制所述存储器的时钟树模块进行时钟信号翻转。根据本公开实施例，能够提高存储器的性能。

公开(公告)号：CN117995237A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410173119.2

申请日：2020-05-22

申请人： 美光科技公司

发明人： B·H·拉姆 ,  K·L·马约尔 ,  J·霍金斯 ,  G·艾哈迈德

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C7/08 ,  G11C7/04 ,  G11C11/4091 ,  G11C7/22 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C7/06

摘要： 描述了用于电子装置的温度补偿操作的系统、方法和设备。举例来说，用于基于温度对感测放大器执行电压补偿的设备可包含感测放大器控制电路，所述感测放大器控制电路耦合到所述感测放大器以将补偿脉冲提供到所述感测放大器，其中所述感测放大器在所述补偿脉冲期间在电压补偿阶段中操作。所述设备可响应于基于所述设备的所述操作温度的电压补偿持续时间信号来确定所述补偿脉冲。紧接在没有激活命令之前或紧接在其后发生所述电压补偿，使得在来自所述命令解码器的激活命令期间不发生补偿持续时间变化。

公开(公告)号：CN112823388B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980066685.0

申请日：2019-09-05

申请人： 美光科技公司

发明人： S·诺埃尔 ,  S·帕塔萨拉蒂

IPC分类号： G11C7/04 ,  G06F3/06

摘要： 识别存储器子系统的操作温度。确定所识别操作温度满足第一温度条件。在确定所述所识别操作温度满足所述第一温度条件之后，在所述存储器子系统处执行操作直到所述操作温度改变为满足第二温度条件为止。

公开(公告)号：CN111886650B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201980017592.9

申请日：2019-02-07

申请人： 美光科技公司

发明人： S·K·瑞特南 ,  V·P·拉亚普鲁 ,  M·N·凯纳克 ,  P·菲利 ,  K·K·姆奇尔拉 ,  R·C·帕迪拉 ,  S·诺埃尔

IPC分类号： G11C7/04 ,  G11C16/08 ,  G06F11/00

摘要： 确定与存储器组件相关联的温度。基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率。以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的数据的增大的错误率相关联的状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的另一状态。

公开(公告)号：CN111899779B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202010603333.9

申请日：2016-03-03

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李映勋

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34 ,  G11C7/04 ,  G06F3/06 ,  G11C16/16 ,  G11C16/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/08 ,  G11C16/32

摘要： 本申请提供了一种半导体存储器件的擦除操作方法，所述方法包括：施加第一擦除控制电压给包括多个存储单元的存储单元阵列的字线；施加设定擦除电压给存储单元阵列的源极线；施加第二擦除控制电压给字线；以及继续施加正常擦除电压给源极线。