- 专利标题: 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
- 专利标题(英): Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display
-
申请号: CN201710254487.X申请日: 2017-04-18
-
公开(公告)号: CN107086181A公开(公告)日: 2017-08-22
- 发明人: 李贺飞 , 段献学 , 王铖铖
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构: 北京律智知识产权代理有限公司
- 代理商 姜怡; 王卫忠
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L27/12
摘要:
本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器,该薄膜晶体管的制作方法,包括:提供基板;在所述基板上通过一次构图工艺形成有源层和覆盖所述有源层的遮光层,所述遮光层由光刻胶材料形成;以及形成源漏电极层和覆盖所述源漏电极层的钝化层。本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法,在有源层上制作遮光层,以减少有源层受到光照而产生的漏电流,提升显示品质,且遮光层为光刻胶材料,在制备有源层的过程中,采用光刻胶层为掩模,制作完成有源层之后,保留的光刻胶层即用作覆盖有源层的遮光层,遮光层与有源层通过一次构图工艺制作出来,无需增加构图工序,能够简化工艺流程,提高生产效率。
公开/授权文献
- CN107086181B 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器 公开/授权日:2021-08-13
IPC分类: