发明授权
- 专利标题： 谐振器的制造方法
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申请号： CN201580070969.9申请日： 2015-11-20
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公开(公告)号： CN107112967B公开(公告)日： 2020-07-07
- 发明人: 梅田圭一 , 山田宏 , 会田康弘
- 申请人： 株式会社村田制作所
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 舒艳君; 李洋
- 优先权： 2014-265347 2014.12.26 JP
- 国际申请： PCT/JP2015/082672 2015.11.20
- 国际公布： WO2016/104004 JA 2016.06.30
- 进入国家日期： 2017-06-23
- 主分类号： H03H3/007
- IPC分类号： H03H3/007 ; B81B3/00 ; B81C1/00 ; H03H9/24
摘要：
本发明提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。
公开/授权文献
- CN107112967A 谐振器的制造方法 公开/授权日：2017-08-29