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公开(公告)号：CN104321965B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380026199.9
申请日：2013-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 梅田圭一
IPC: H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种Q值高，并且能够抑制谐振频率以下的频率范围内的乱真的体波谐振器。体波谐振器(1)，在基板(2)上，按照具有被从基板(2)的上表面声分离的部分的方式，层叠含钪的氮化铝膜(3)，在含钪的氮化铝膜(3)的一面形成第1电极(4)，在另一面形成第2电极(5)，相对于第1电极(4)，第2电极(5)隔着含钪的氮化铝膜(3)而重合，从而构成压电振动部，在将含钪的氮化铝膜(3)中的Sc与Al的合计设为100原子％时，钪含有浓度处于5原子％以上、43原子％以下的范围。
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公开(公告)号：CN112740550B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980061641.9
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 提供能够减少保持部的绝缘膜所带电的电荷给予谐振频率的影响的谐振装置。谐振装置(1)具备：谐振子(10)，包括振动部(120)和保持部(140)，上述保持部(140)配置于振动部(120)四周的至少局部且包括将振动部(120)保持为能够振动的保持体和形成在该保持体上的绝缘膜(235)；和下盖(20)，其包括形成振动部(120)的振动空间的至少局部的凹部(21)，绝缘膜235的内侧面相对于规定凹部(21)的侧壁(23)的内表面(23a)隔开第1距离D1配置。
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公开(公告)号：CN105874710B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201580003668.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明涉及压电振子以及压电振动装置。在压电振子中，使静电电容比较大，并且，抑制杂散电容的影响。压电振子(120A)是具有彼此以相反相位振动的第一以及第二振动部的压电振子(120A)，第一以及第二振动部的每个具备硅层(220)、配设在硅层(220)之上的第一压电层(224)、配设在第一压电层(224)之上的第一电极(222)、配设在第一电极(222)之上且具有与第一压电层(224)相反方向的极化的第二压电层(225)、以及配设在第二压电层(225)之上的第二电极(223)，构成为对第一振动部的第一电极(222)和第二振动部的第二电极(223)施加第一电位，并对第一振动部的第二电极(223)和第二振动部的第一电极(222)施加第二电位。
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公开(公告)号：CN105210294B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874710A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003668.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/02244 , H03H9/0595 , H03H9/125 , H03H9/2489 , H03H2009/155
Abstract: 本发明涉及压电振子以及压电振动装置。在压电振子中，使静电电容比较大，并且，抑制杂散电容的影响。压电振子(120A)是具有彼此以相反相位振动的第一以及第二振动部的压电振子(120A)，第一以及第二振动部的每个具备硅层(220)、配设在硅层(220)之上的第一压电层(224)、配设在第一压电层(224)之上的第一电极(222)、配设在第一电极(222)之上且具有与第一压电层(224)相反方向的极化的第二压电层(225)、以及配设在第二压电层(225)之上的第二电极(223)，构成为对第一振动部的第一电极(222)和第二振动部的第二电极(223)施加第一电位，并对第一振动部的第二电极(223)和第二振动部的第一电极(222)施加第二电位。
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公开(公告)号：CN101292422A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680035920.0
申请日：2006-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17 , H03H9/54 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/18
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/584 , H03H9/587
Abstract: 本发明提供一种可以抑制短波长乱真的压电薄膜谐振器。薄膜部的一部分由基板12支持，薄膜部的从基板12音响性分离的部分中含有：a)夹持压电膜16的一对电极14、18在俯视图中重叠的振动部24；b)沿着振动部24的外周的至少一部分设置在压电膜16或电极18上的附加膜20。设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的附加膜20的音响阻抗，附加膜20的密度和厚度的积为A，电极14、18的密度和厚度的积为B，y＝A/B，满足：(i)9.0≤x＜44.0时，0.0092·x+0.88≤y＜0.067·x+0.60…(1a)(ii)44.0≤x＜79.0时，－0.0035·x+1.45≤y＜0.015·x+2.9…(1b)。
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公开(公告)号：CN1947333A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013358.7
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H9/174
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜谐振器，包括：在对置的一对电极(14、16)之间配置有压电薄膜(15)的薄膜部(17)、形成在薄膜部(17)的一对电极的一方(14)的一侧的绝缘膜(18)、支承薄膜部(17)的一对电极的另一方(16)的一侧的一部分的基板(12)。薄膜部(17)和绝缘膜(18)成为一体，以2以上的整数倍波的至少一个振动模式振动，在该至少一个振动模式下，构成为2以上的整数倍波的波腹位于绝缘膜(18)内。由此，可以降低非谐高阶模杂散，且能够实现小型化。
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公开(公告)号：CN111683896B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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公开(公告)号：CN108141196B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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