Invention Grant
- Patent Title: 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置
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Application No.: CN201610835603.2Application Date: 2016-09-20
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Publication No.: CN107129757BPublication Date: 2020-02-07
- Inventor: 韩权愚 , 郭泽秀 , 卢健培 , 徐珍雨 , 沈秀姸 , 尹熙灿 , 李知虎 , 张俊英 , 黄丙奎
- Applicant: 三星SDI株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 彭雪瑞; 臧建明
- Priority: 10-2016-0023589 2016.02.26 KR
- Main IPC: C09D183/16
- IPC: C09D183/16 ; C09D183/14 ; C09D7/20 ; C09D1/00 ; C04B35/14 ; C04B35/622

Abstract:
本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中,L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
Public/Granted literature
- CN107129757A 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 Public/Granted day:2017-09-05
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