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公开(公告)号：CN115109519A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210263056.0
申请日：2022-03-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及树枝状聚(酰氨基胺)，含有pKa为6或小于6的末端官能团。本发明可改进凹陷特性且降低腐蚀速率，同时使钨图案晶片的抛光速率的降低最小化。
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公开(公告)号：CN107129757B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/20 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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公开(公告)号：CN107129757A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/00 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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公开(公告)号：CN115710463B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211011094.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3213 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开一种用于图案化钨晶片的CMP浆料组成物和使用其的钨抛光方法。CMP浆料组成物包含：溶剂；磨料；以及非树枝状聚(酰胺基胺)。
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公开(公告)号：CN116410668A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211433983.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3213
Abstract: 公开一种用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及一种使用所述化学机械抛光浆料组合物对钨图案晶片进行抛光的方法。所述用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物可包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂，含有用具有至少一个氮原子的硅烷化合物改性的氧化硅；以及含环氧烷基的氟类表面活性剂。
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公开(公告)号：CN117987014A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311398081.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 在本文中公开一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及使用其对钨进行抛光的方法。所述用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物包括：选自极性溶剂和非极性溶剂的至少一种溶剂；磨料剂；以及由式3表示的化合物或其络合物。本发明可提高抛光表面的平整度。
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公开(公告)号：CN114302930A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080060553.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。
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公开(公告)号：CN107778876B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710259297.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C09D183/16 , C09D183/14 , H01L29/51
Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。
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公开(公告)号：CN106558483B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610329591.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L23/28 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。
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