发明公开
- 专利标题: 一种圆片级真空封装结构及其制作方法
- 专利标题(英): Wafer-level vacuum packaging structure and manufacturing method thereof
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申请号: CN201710374845.0申请日: 2017-05-24
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公开(公告)号: CN107188110A公开(公告)日: 2017-09-22
- 发明人: 胡小东 , 杨志 , 胥超 , 张丹青
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 夏素霞
- 主分类号: B81B7/00
- IPC分类号: B81B7/00 ; B81C1/00 ; B81C3/00
摘要:
本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法,涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域;包括第一圆片和第二圆片,第一圆片上设有空腔,第一圆片下部设有键合区,第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合;第二圆片上设有待封装的器件;第一圆片上设有排气通孔,排气通孔与空腔相靠近;方法简单,通过在空腔邻近区域制备排气通孔,可以在很短的时间内,使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
公开/授权文献
- CN107188110B 一种圆片级真空封装结构及其制作方法 公开/授权日:2019-05-03