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公开(公告)号：CN107188110A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710374845.0
申请日：2017-05-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： B81B7/0041 , B81C1/00293 , B81C3/001
摘要： 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的器件；第一圆片上设有排气通孔，排气通孔与空腔相靠近；方法简单，通过在空腔邻近区域制备排气通孔，可以在很短的时间内，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
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公开(公告)号：CN104773706B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510180004.7
申请日：2015-04-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种硅基磁性材料衬底制备方法，涉及采用微电子机械加工技术制作硅基磁性材料衬底的方法技术领域。所述方法包括如下步骤：1）对底层单晶硅片进行双面抛光处理；2）使用光刻及反应离子刻蚀工艺在底层单晶硅片的上表面进行刻蚀，获得腔体结构；3）将磁性材料粉末填充至腔体结构内；4）采用硅硅键合工艺将顶层单晶硅片与底层单晶硅片进行键合；5）用磨片、抛光工艺将退火后的键合圆片的部分硅层根据需要减薄至所需厚度，完成硅基磁性材料衬底的制备。所述方法具有加工精度高、制造工艺简单、可重复性强的优点，获得的衬底可在高精度的微电子工艺线进行流片，用于磁性传感器、射频器件等器件的制作。
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公开(公告)号：CN107188110B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710374845.0
申请日：2017-05-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的器件；第一圆片上设有排气通孔，排气通孔与空腔相靠近；方法简单，通过在空腔邻近区域制备排气通孔，可以在很短的时间内，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
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公开(公告)号：CN107244647A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710374164.4
申请日：2017-05-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： B81B7/0035 , B81C1/00277 , B81C2203/0118
摘要： 本发明公开了一种圆片级封装结构以及制造方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片和第二圆片通过键合区键合，第一圆片上设有空腔；第一圆片上设有与每个空腔都相连通的若干个排气通孔，排气通孔端部设有自封闭结构，自封闭结构不堵塞排气通孔；方法简单，空腔上设置排气通孔，利用排气通孔将空腔内的气体分子迅速排出，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空，键合完毕后能将排气通孔封闭形成真空的空腔。
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公开(公告)号：CN104773706A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510180004.7
申请日：2015-04-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种硅基磁性材料衬底制备方法，涉及采用微电子机械加工技术制作硅基磁性材料衬底的方法技术领域。所述方法包括如下步骤：1）对底层单晶硅片进行双面抛光处理；2）使用光刻及反应离子刻蚀工艺在底层单晶硅片的上表面进行刻蚀，获得腔体结构；3）将磁性材料粉末填充至腔体结构内；4）采用硅硅键合工艺将顶层单晶硅片与底层单晶硅片进行键合；5）用磨片、抛光工艺将退火后的键合圆片的部分硅层根据需要减薄至所需厚度，完成硅基磁性材料衬底的制备。所述方法具有加工精度高、制造工艺简单、可重复性强的优点，获得的衬底可在高精度的微电子工艺线进行流片，用于磁性传感器、射频器件等器件的制作。
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公开(公告)号：CN102361113A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110166919.4
申请日：2011-06-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器，由两层以上介质层上下叠加组成，在每层介质层上均设有通孔，在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层；相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层，在所述中间金属层上设有级间耦合窗；顶部介质层的上表面和底部介质层的下表面分别设有经硅微机械加工技术形成的表面金属层；与每层介质层的上、下表面相接触的金属层和该介质层的内壁金属层构成谐振腔体；在其中一个谐振腔体上设有输入抽头引线，在另一个谐振腔体上设有输出抽头引线。本发明体积小，且具有屏蔽作用，无需封装，可满足微波/毫米波频段的精度要求，器件一致性好，与集成电路工艺兼容，易于实现系统集成，便于装配和调试使用。
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公开(公告)号：CN1241044C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03143278.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～200微米，远远深于通常的半导体介质隔离技术，适合于制造出在机械上连接，电学上隔离的微机械结构。本发明还具有工艺简单、可重复性好的优点。本发明适合于电容式微加速度计、微陀螺、光开关、微机械微波开关等多种微机械器件的制作。
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公开(公告)号：CN1218365C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03143281.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它将低阻硅片和带氧化绝缘层的衬底硅片键合为整体，在低阻硅片上制备微机械结构。它采用硅-硅键合、双面光刻、深反应离子刻蚀等工艺，在硅衬底的二氧化硅层上制备低电阻率的单晶硅微机械结构，制成的微机械管芯由低阻硅-二氧化硅绝缘层-衬底硅三层材料构成。本发明的优点是管芯中的微机械可动结构层厚度大、应力很低、和衬底的热膨胀系数匹配极好；具有制造成本低，成品率高，制成的器件可靠性高等优点。本发明适合于微加速度计、光开关、微机械开关、可变电容、可变光衰减器等多种硅微机械器件的制作。
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公开(公告)号：CN1489180A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03143281.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它将低阻硅片和带氧化绝缘层的衬底硅片键合为整体，在低阻硅片上制备微机械结构。它采用硅－硅键合、双面光刻、深反应离子刻蚀等工艺，在硅衬底的二氧化硅层上制备低电阻率的单晶硅微机械结构，制成的微机械管芯由低阻硅－二氧化硅绝缘层－衬底硅三层材料构成。本发明的优点是管芯中的微机械可动结构层厚度大、应力很低、和衬底的热膨胀系数匹配极好；具有制造成本低，成品率高，制成的器件可靠性高等优点。本发明适合于微加速度计、光开关、微机械开关、可变电容、可变光衰减器等多种硅微机械器件的制作。
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公开(公告)号：CN1488965A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03143278.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～200微米，远远深于通常的半导体介质隔离技术，适合于制造出在机械上连接，电学上隔离的微机械结构。本发明还具有工艺简单、可重复性好的优点。本发明适合于电容式微加速度计、微陀螺、光开关、微机械微波开关等多种微机械器件的制作。
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