发明授权
- 专利标题: 霍尔传感器
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申请号: CN201710470300.X申请日: 2015-06-15
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公开(公告)号: CN107195772B公开(公告)日: 2019-06-25
- 发明人: 福中敏昭 , 笠松新
- 申请人: 旭化成微电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 旭化成微电子株式会社
- 当前专利权人: 旭化成微电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2014-124651 2014.06.17 JP
- 主分类号: H01L43/06
- IPC分类号: H01L43/06 ; H01L43/10 ; H01L43/14
摘要:
本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备:GaAs霍尔元件(10),其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a~13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40);引线端子(22~25),其配置在GaAs霍尔元件的周围;金属细线(31~34),其将电极与引线端子分别电连接;以及模制构件(50),其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。
公开/授权文献
- CN107195772A 霍尔传感器 公开/授权日:2017-09-22
IPC分类: