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公开(公告)号：CN115498058A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211029841.6
申请日：2022-08-25
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。
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公开(公告)号：CN114429968B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210089191.8
申请日：2022-01-25
申请人： 上海积塔半导体有限公司
发明人： 刘金营
摘要： 本发明提供一种垂直双层磁性随机存储器及其制备方法，垂直双层磁性随机存储器包括衬底、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、磁性隧道结、第四导电结构及第五导电结构；本发明的垂直双层磁性随机存储器，由STT‑MRAM和SOT‑MRAM上下堆叠组合而成，可改变上下器件的电阻，以存储四种信号，垂直双层磁性随机存储器可在相同占地面积或者更少的占地面积下，存储双倍的信息，其有助于提高存储器件的密度，扩大垂直双层磁性随机存储器的应用。
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公开(公告)号：CN114134434B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202111484363.3
申请日：2021-12-07
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C22C45/02 , B22D11/06 , C23C14/14 , C23C14/04 , C23C14/46 , C23C14/35 , C23C14/28 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/14
摘要： 本发明提供了一种铁基非晶合金、其霍尔条微器件，还提供了该霍尔条微器件的制备方法。所述铁基非晶合金具有≥0℃温度稳定的非共线磁结构；所述霍尔条微器件具有≥0℃温度稳定非共线磁结构和拓扑霍尔效应；所述霍尔条微器件有两种形态，一种是从铁基非晶合金条带上利用激光加工技术，按照“丰”字形图纸切割而来。另一种是利用铁基非晶合金的母合金锭作为溅射靶材，利用“丰”字形掩模板，通过离子束溅射镀膜得到的厚度约50nm的薄膜形态。此外，利用洛伦兹透射电镜还观察到了室温下稳定的涡旋磁结构。本发明所制备的霍尔条微器件具有室温稳定的涡旋磁结构，以及大的拓扑霍尔效应，即由拓扑磁结构产生的额外霍尔信号，其可作为下一代非易失性磁存储器件的读取信号，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115443548A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202080100135.9
申请日：2020-07-30
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种磁性隧道结及存储单元，磁性隧道结包括纵向依次层叠的第一电极层(210)、第一固定磁性层(220)、隧穿绝缘层(230)、自由磁性层(240)、覆盖层(250)、第二固定磁性层(260)和第二电极层(270)，第一固定磁性层(220)和第二固定磁性层(260)各自具有固定的磁化方向，第一固定磁性层(220)的磁化方向具有纵向的分量，且第二固定磁性层(260)的磁化方向在纵向上的分量与第一固定磁性层(220)的磁化方向在纵向上的分量方向相反，自由磁性层(240)具有垂直磁各向异性能，这样，在写入电流经过磁性隧道结时，自由磁性层(240)会受到来自第一固定磁性层(220)和第二固定磁性层(260)的两个同向的自旋转移力矩，具有更高的电流效率，因此需要的翻转电流较小，因此可以降低器件的写入电流，降低写入功耗。
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公开(公告)号：CN115411179A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210433929.8
申请日：2022-04-24
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明公开了巨自旋霍尔角金属‑氧化铪复合薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子新材料领域，为解决现有材料无法满足获得更强自旋霍尔效应的材料的问题。复合薄膜材料为生长于基片表面的金属‑氧化铪复合薄膜，金属‑氧化铪复合薄膜的组分为R(100‑x)‑(HfO2)(x)，R为金属元素Pt、W、Ta、Bi或其合金中任一种，x的取值范围为1~10，制备方法为：S1、选择R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合靶材作为溅射靶材；S2、将步骤S1中的R(100‑x)‑(HfO2)(x)靶材装在磁控溅射设备腔体靶位；S3、采用基片作为基底，清洗基片，用氮气吹干，保证基片表面洁净；S4、将步骤S3清洗后的基片放入磁控溅射设备中生长R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合薄膜，本方法操作简单、成本低，可广泛应用。
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公开(公告)号：CN115411178A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211011819.9
申请日：2022-08-23
申请人： 北京量子信息科学研究院
摘要： 本发明提供了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。其中真随机数发生器的随机数发生模块包括：自旋流生成层和并列设置在自旋流生成层上的两个磁隧道结。自旋流生成层两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极。两个磁隧道结均包括依次堆叠的自由层、绝缘层、参考层、钉扎层和盖帽层。两个磁隧道结的自由层被配置为磁场初始化后能够具有相反的磁化方向。两个磁隧道结之间的间距被配置为能够使得其自由层产生反铁磁耦合。两个磁隧道结中的一个的盖帽层和第一电极用于通入第二电流。本发明通过设计自由层的反铁磁耦合来降低杂散磁场对随机性的影响，可有效提高基于自旋轨道矩效应的真随机数发生器的随机性。
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公开(公告)号：CN111081868B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201911197149.2
申请日：2019-11-29
申请人： 深圳市立洋光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种铁磁性半金属晶体及其制备方法、以及该铁磁性半金属晶体的应用。铁磁性半金属晶体的化学式如下：CuxZrySe2，其中，0.02≤x≤0.1，0.9≤y≤0.98，0.975≤x+y≤1。上述铁磁性半金属晶体通过ZrSe2中掺杂Cu得到，其化学式为：CuxZrySe2。通过分别对ZrSe2和CuxZrySe2进行磁性测量表明，ZrSe2为抗磁性半导体，CuxZrySe2为垂直磁场的铁磁性半金属。也就是说，通过在ZrSe2中掺杂Cu，成功的将ZrSe2由抗磁性变为铁磁性。
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公开(公告)号：CN112864309B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201911101162.3
申请日：2019-11-12
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结为磁性肖特基/相干隧道结，结合自旋激化层的设计，使得自旋激化电子通过肖特基隧穿的方式实现逻辑“0”的读取；通过相干隧穿的方式实现逻辑“1”的读取，由于高电阻态和低电阻态的阻值相差特别大，在这种情况下，可以获得非常可观的TMR，非常有利于MRAM电路的读写性能的提升，非常适合作为超小型的MRAM电路的存储单元。
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公开(公告)号：CN115207209A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210324734.X
申请日：2022-03-30
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。
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公开(公告)号：CN112490356B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011432991.2
申请日：2020-12-10
申请人： 重庆邮电大学
摘要： 本发明公开了一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法，属于功能复合材料制备技术领域。柔性聚酰亚胺衬底、多层石墨烯薄膜、P(VDF‑TrFE)铁电层、金属铁磁层和钽保护层从下至上依次设置；本发明的CO2红外激光器碳化聚酰亚胺衬底，在聚酰亚胺衬底上制备磁电异质结可以得到石墨烯掺杂的全柔性磁电薄膜，克服了目前磁电复合结构大多受到衬底夹持效应束缚的问题，并且制备过程简单，可在大气氛围下制备和测试，解决了离子胶制备柔性磁电异质结制备过程复杂的问题。
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