- 专利标题： 半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带
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申请号： CN201680005367.X申请日： 2016-03-10
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公开(公告)号： CN107210204B公开(公告)日： 2021-08-03
- 发明人: 冈祥文 , 青山真沙美
- 申请人： 古河电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 庞东成; 褚瑶杨
- 优先权： 2015-051482 20150313 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/057615 2016.03.10
- 国际公布： WO2016/148025 JA 2016.09.22
- 进入国家日期： 2017-07-10
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301
摘要：
一种半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带，该半导体晶片的处理方法中，利用CO2激光将对图案面进行保护的表面保护带的粘合剂中与切割道相当的部分切断，形成掩模，利用SF6等离子体进行切割，并进行利用O2等离子体将粘合剂层除去的灰化。
公开/授权文献
- CN107210204A 半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带 公开/授权日：2017-09-26
IPC分类:
