-
公开(公告)号：CN103509479A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310260994.6
申请日：2013-06-27
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C09J7/02
摘要： 本发明提供半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带可降低半导体晶片加工时晶片的翘曲、晶片背面的韧窝、晶片表面电极上的余胶及表面污染，可进行晶片薄膜磨削。
-
公开(公告)号：CN107112222B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201680005372.0
申请日：2016-03-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/78 , H01L21/3065 , C09J7/22
摘要： 一种晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片，该晶片固定带为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与粘合剂层5b相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。
-
公开(公告)号：CN107210204A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680005367.X
申请日：2016-03-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L24/27
摘要： 一种半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带，该半导体晶片的处理方法中，利用CO2激光将对图案面进行保护的表面保护带的粘合剂中与切割道相当的部分切断，形成掩模，利用SF6等离子体进行切割，并进行利用O2等离子体将粘合剂层除去的灰化。
-
公开(公告)号：CN107431004A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020678.3
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L23/562 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , C09J4/00 , C09J7/243 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J7/40 , C09J7/401 , C09J133/00 , C09J133/08 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2427/005 , C09J2433/00 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78
摘要： 一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物。
-
公开(公告)号：CN107210207A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008788.8
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC分类号： B23K26/351 , B23K26/362 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。
-
公开(公告)号：CN107431004B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680020678.3
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J4/00 , C09J7/24 , C09J7/29 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要： 一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物。
-
公开(公告)号：CN107210204B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201680005367.X
申请日：2016-03-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301
摘要： 一种半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带，该半导体晶片的处理方法中，利用CO2激光将对图案面进行保护的表面保护带的粘合剂中与切割道相当的部分切断，形成掩模，利用SF6等离子体进行切割，并进行利用O2等离子体将粘合剂层除去的灰化。
-
公开(公告)号：CN106104767B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201580015094.2
申请日：2015-03-20
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , C09J7/38 , C09J201/00
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J201/00 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。
-
公开(公告)号：CN107533964A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024338.8
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31058 , B23K26/351 , B23K26/38 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。
-
公开(公告)号：CN107112222A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005372.0
申请日：2016-03-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02
摘要： 一种晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片，该晶片固定带为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与粘合剂层5b相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.031 秒)
