发明授权
- 专利标题: 成膜装置及成膜方法
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申请号: CN201710192799.2申请日: 2017-03-28
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公开(公告)号: CN107267959B公开(公告)日: 2020-12-15
- 发明人: 吉田武史
- 申请人: 株式会社昭和真空
- 申请人地址: 日本神奈川县相模原市
- 专利权人: 株式会社昭和真空
- 当前专利权人: 株式会社昭和真空
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县相模原市
- 代理机构: 北京市浩天知识产权代理事务所
- 代理商 刘云贵
- 优先权: 2016-072267 20160331 JP
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455
摘要:
本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质,延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理,向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体,第二气体配管(90)用于成膜处理,将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间,以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
公开/授权文献
- CN107267959A 成膜装置及成膜方法 公开/授权日:2017-10-20
IPC分类: