利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN107275204A 一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法 失效 - 权利终止

一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法
摘要：
本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法。通过人工方法生成纳米孔阵列阳极氧化铝膜；利用铝箔和平整基底做支撑，将制备好的多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝模板，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的多孔阳极氧化铝膜做模板，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。
摘要（英）：

The invention belongs to the nanometer optoelectronic device preparation field and relates to a porous anodic aluminum oxide template-based nanometer optoelectronic device preparation method. According to the method, a nanometer pore array anodic aluminum oxide film is generated through a manual method; with aluminum foil and a flat substrate adopted as a support, the prepared porous anodic aluminum oxide template is transferred to an optoelectronic device, so that a sample sheet can be obtained; deposition or etching is performed on the sample sheet through adopting a deposition or etching technique; and the porous anodic aluminum oxide template is removed through using a physical or chemical method, and a nanometer array structure is obtained on the optoelectronic device. According to the method of the invention, the porous anodic aluminum oxide template is obtained through a manual low-cost means; and the nanometer processing technology is adopted to prepare a large-area uniform nanometer hole, nanometer point, nanometer column and nanometer circular truncated cone-shaped array, so that a nanometer structure optoelectronic device can be obtained.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308 .......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）
0/0