本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管完全隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线。本发明的有益之处在于，深槽介质层与SOI衬底将每一个光电二极管与其它临近的光电二极管完全隔离开来，阻止了直接光学串扰和延迟光学串扰的产生，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的整体光学串扰，并大幅提升件的单光子分辨能力。