发明公开
- 专利标题: 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Yttrium-doped barium fluoride crystal and preparation method and application thereof
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申请号: CN201710414310.1申请日: 2017-06-05
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公开(公告)号: CN107354509A公开(公告)日: 2017-11-17
- 发明人: 陈俊锋 , 杜勇 , 王绍华 , 孙世允 , 周学农 , 李翔
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C30B29/12
- IPC分类号: C30B29/12 ; C30B11/02 ; C30B15/00 ; C30B28/06 ; C30B28/10 ; G01T1/202
摘要:
本发明涉及一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用,所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba(1-x)YxF2+x,其中0.01≤x≤0.50。本发明的BaF2晶体闪烁性能得到改善,钇掺杂可以极大地抑制BaF2晶体的慢发光分量,具有优异的快/慢闪烁分量比,该掺杂晶体与光探测器耦合制作成闪烁探头,适用于高能物理、核物理、超高速成像和核医学成像等高时间分辨辐射领域。
公开/授权文献
- CN107354509B 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-02-14
IPC分类: