一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括用于形成第一晶体管的第一区域和用于形成第二晶体管的第二区域；形成第一应力层和第二应力层，第一应力层和第二应力层的顶部表面高于衬底的表面；形成覆盖层；去除第一应力层和第二应力层相对面上部分厚度的覆盖层。本发明通过在形成覆盖层之后，去除第一应力层和第二应力层相对表面上部分厚度的覆盖层，以扩大隔离结构两侧第一应力层和第二应力层之间的距离，有效的改善相邻应力层之间距离太近而引起的器件性能问题，减少了器件短接现象的出现。此外，去除部分厚度的覆盖层还可以去除位于第一应力层和第二应力层相对表面上覆盖层表面所形成的堆叠缺陷，从而提高所形成半导体器件的性能。