本发明提供了一种LED外延生长方法，该方法通过在生长多量子阱层后先生长一层掺杂Zn的InGaN:Zn结构层，阻挡电子向p型GaN迁移，避免大量电子从多量子阱层泄漏出至P型层，从而提高多量子阱层的电子浓度；然后通过生长高掺杂Mg浓度的AlGaN:Mg薄垒层，来提供高的空穴浓度，并有效推动空穴注入多量子阱层，增加多量子阱层的电子空穴对数量。另外，利用AlGaN与InGaN的晶格不匹配，在InGaN:Zn结构层与AlGaN:Mg薄垒层的界面处产生二维空穴气，借助二维空穴气，提高空穴横向扩展效率，进一步提高多量子阱层的空穴注入水平，降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。