发明授权
- 专利标题： 包括对准不良误差保护的图案化方法
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申请号： CN201680019819.X申请日： 2016-02-19
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公开(公告)号： CN107430333B公开(公告)日： 2020-11-03
- 发明人: 安东·J·德维利耶 , 杰弗里·史密斯
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡胜有; 苏虹
- 优先权： 62/119,146 2015.02.21 US
- 国际申请： PCT/US2016/018764 2016.02.19
- 国际公布： WO2016/134309 EN 2016.08.25
- 进入国家日期： 2017-09-29
- 主分类号： G03F7/00
- IPC分类号： G03F7/00 ; G03F7/20 ; G03F7/32
摘要：
本文的基底图案化技术保护免于重叠对准不良。技术包括使用浮雕图案的组合，其中一个浮雕图案包括填充有特定光致抗蚀剂的开口并且这些开口的宽度不足以使得波长大于预定阈值波长的电磁辐射能够波传播。因此，大于一定波长的光化辐射不会影响这些相对小开口内的光致抗蚀剂。这些开口内填充的光致抗蚀剂可以通过部分露出的开口内的特定显影剂除去，从而有助于确保按照设计制造特征件和连接件。
公开/授权文献
- CN107430333A 包括对准不良误差保护的图案化方法 公开/授权日：2017-12-01
