-
公开(公告)号：CN118938597A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410560301.3
申请日：2024-05-08
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂；及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元，且会因为酸的作用而分解，在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118724686A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410711463.2
申请日：2024-06-04
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 北京科技大学
IPC分类号： C07C43/23 , C07C41/16 , C09K23/42 , G03F7/32 , C08G65/337 , C08G65/331
摘要： 本发明公开了一种非离子Gemini表面活性剂及其制备方法和应用，所述表面活性剂的结构式如下：#imgabs0#其中，n为自然数。本发明在常压条件下无需高温即可制备非离子Gemini表面活性剂，该非离子Gemini表面活性剂是适配于半导体及新型显示领域湿电子化学品的一款表面活性剂，在添加量较少时即可高效提高湿电子化学品的浸润性。
-
公开(公告)号：CN118668231A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC分类号： C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
摘要： 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
-
公开(公告)号：CN118625598A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310740014.6
申请日：2023-06-21
摘要： 本发明公开了一种基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶及其图案化方法。所述基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶按质量份数计，包括以下组分：1‑3份聚羟基苯乙烯化合物，1‑7份活性交联剂，0.2‑0.5份双光子引发剂，0‑0.5份增敏剂，0～90份溶剂。本发明提供的基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶具有良好的成膜性，利用飞秒激光直写光刻系统，可以刻写出满足微纳加工需求的光刻胶线条，具有良好的精度，在微纳电子器件、集成电路和显示面板等半导体制造领域内有巨大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN118507344A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310126833.1
申请日：2023-02-16
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/768 , G03F7/32 , G03F7/36
摘要： 本发明提供一种金属电极及其制备方法，该金属电极的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，并形成覆盖衬底上表面的隔离介质层；图案化隔离介质层，以形成贯穿隔离介质层的开口；形成填充开口并覆盖隔离介质层上表面的黏附层，并于黏附层上表面形成阻挡层及导电层，以得到金属电极膜层结构；提供一包括前置反应剂、缓冲剂及至少两种主刻蚀剂的电极刻蚀剂，于导电层的上表面形成图案化的光刻胶层；基于图案化的光刻胶层刻蚀金属电极膜层结构，且仅采用电极刻蚀剂对金属电极膜层结构进行刻蚀。本发明通过对电极刻蚀剂的改进，使改进后的电极刻蚀剂中包括多种主刻蚀剂，利用前置反应剂与每种主刻蚀剂的结合同步刻蚀金属电极膜层结构，简化了工艺步骤。
-
公开(公告)号：CN113196178B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201980081913.1
申请日：2019-11-11
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本申请发明涉及一种用于对使用于极紫外光曝光光源的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案进行坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，更详细地，涉及一种用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体组合物及使用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质，0.0001至1重量％的阴离子表面活性剂，及98至99.9998重量％的水。
-
公开(公告)号：CN112099321B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010875693.4
申请日：2020-08-27
申请人： 江苏中德电子材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本发明涉及一种高浓CF显影液及其制备方法。该高浓CF显影液的组分及其重量百分数为：5‑15％的无机强碱、3‑20％的表面活性剂、1‑2％的促溶剂、0.01‑2％的羧酸酯水解酶EC3.1.1.1，余量为高纯水。本发明通过在高浓CF显影液中添加了羧酸酯水解酶EC3.1.1.1，克服了现有高浓度CF显影液因表面活性剂添加量大容易导致混浊、产生泡沫、显影速度随显影时间减弱、显影存在残渣、显影不完全、存在膜污等问题，配方浓缩，运输成本稍，且具有良好的显影效果。
-
公开(公告)号：CN118259558A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410375298.8
申请日：2024-03-29
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开了一种基于轴向分辨率压缩优化刻写结构表面粗糙度的方法；该方法通过引入0‑π相位掩膜调制的边缘抑制光，实现刻写结构横向和轴向分辨率的提升；同时，在光刻胶组合物中添加自由基抑制剂，进一步提高刻写的空间分辨率；本发明将光抑制效应与化学抑制效应相结合，实现平面圆盘、微透镜表面粗糙度的降低，且规避了由于轴向分辨率过低引发的弯曲轮廓器件表面的台阶状痕迹；本发明能为复杂光学器件制备中表面粗糙度的优化提供基础。
-
-
公开(公告)号：CN110275395B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910194272.2
申请日：2019-03-14
申请人： 东京应化工业株式会社
摘要： 提供抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂组合物，其是含有对显影液的溶解性因酸的作用而变化的基材成分(A)和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，上述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，所述高分子化合物(A1)含有具有酸分解性基团的结构单元(a1)，上述具有酸分解性基团的结构单元(a1)相对于上述高分子化合物(A1)的全部结构单元以51摩尔％～59摩尔％含有，上述具有酸分解性基团的结构单元(a1)含有下述式(a1－1)表示的结构单元(式中，R表示氢原子、烷基或卤代烷基；Z表示单键或亚烷基；Cp为式(Cp－1)表示的基团；R1为叔烷基；np为正整数；＊表示与Z的键合位置)。#imgabs0#
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1261 条记录 (耗时 0.02 秒)
