发明公开
- 专利标题: 微电子导电路径和制作所述微电子导电路径的方法
- 专利标题(英): MICROELECTRONIC CONDUCTIVE ROUTES AND METHODS OF MAKING THE SAME
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申请号: CN201580078531.5申请日: 2015-04-29
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公开(公告)号: CN107431028A公开(公告)日: 2017-12-01
- 发明人: J.S.绍拉 , R.豪拉尼 , M.J.科布林斯基 , F.格斯特赖因 , S.B.克伦德宁 , J.M.罗伯茨
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 申屠伟进; 张涛
- 国际申请: PCT/US2015/028209 2015.04.29
- 国际公布: WO2016/175782 EN 2016.11.03
- 进入国家日期: 2017-09-29
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/498
摘要:
可以形成导电路径结构,其包括导电迹线和导电过孔,其中导电过孔直接接触导电迹线。在一个实施例中,导电路径结构可以通过在导电迹线上形成电介质材料层来形成。可以通过电介质材料层形成过孔开口以暴露导电迹线的部分,并且阻挡层可以仅在导电迹线的暴露部分上形成。屏障线可以形成在过孔开口的侧壁上,并且此后可以移除阻挡层。导电过孔然后可以在过孔开口内形成,其中导电过孔直接接触导电迹线。
IPC分类: