公开(公告)号：CN107103993A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201611244647.4

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G2/02 ,  H01G9/048 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/86 ,  H01L49/02

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN107103993B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201611244647.4

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G2/02 ,  H01G9/048 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/86 ,  H01L49/02

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN104170037B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201280071862.2

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G11/02 ,  G06F1/1635 ,  H01G9/04 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/84 ,  H04M1/0262 ,  H04M2001/0204 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN107431028A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580078531.5

申请日：2015-04-29

申请人： 英特尔公司

发明人： J.S.绍拉 ,  R.豪拉尼 ,  M.J.科布林斯基 ,  F.格斯特赖因 ,  S.B.克伦德宁 ,  J.M.罗伯茨

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L2221/1063 ,  H01L24/42 ,  H01L23/498 ,  H01L24/43

摘要： 可以形成导电路径结构，其包括导电迹线和导电过孔，其中导电过孔直接接触导电迹线。在一个实施例中，导电路径结构可以通过在导电迹线上形成电介质材料层来形成。可以通过电介质材料层形成过孔开口以暴露导电迹线的部分，并且阻挡层可以仅在导电迹线的暴露部分上形成。屏障线可以形成在过孔开口的侧壁上，并且此后可以移除阻挡层。导电过孔然后可以在过孔开口内形成，其中导电过孔直接接触导电迹线。

公开(公告)号：CN104170037A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071862.2

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G11/02 ,  G06F1/1635 ,  H01G9/04 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/84 ,  H04M1/0262 ,  H04M2001/0204 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。