Invention Grant
- Patent Title: 具有独立调制光栅区段以减少啁啾的双区段半导体激光器
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Application No.: CN201680012687.8Application Date: 2016-01-06
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Publication No.: CN107454990BPublication Date: 2020-01-17
- Inventor: 郑军 , 默里·史蒂芬 , J , 克劳斯·亚历山大·安索姆 , 张焕林 , 迪恩·麦因托希·朵希
- Applicant: 祥茂光电科技股份有限公司
- Applicant Address: 美国得克萨斯州舒格兰杰西比特尔大道13139
- Assignee: 祥茂光电科技股份有限公司
- Current Assignee: 祥茂光电科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国得克萨斯州舒格兰杰西比特尔大道13139
- Agency: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所
- Agent 李迎春
- Priority: 14/590,456 2015.01.06 US
- International Application: PCT/US2016/012307 2016.01.06
- International Announcement: WO2016/112087 EN 2016.07.14
- Date entered country: 2017-08-31
- Main IPC: H01S5/026
- IPC: H01S5/026 ; H01S5/06 ; H01S5/0625

Abstract:
一种双区段半导体激光器包括增益区段和独立调制的光栅区段以减少啁啾。独立调制的光栅区段包括用于反射光线的衍射光栅,以及连同增益区段形成激光腔,用于依照衍射光栅所反射的波长或波长范围激射。半导体激光器的增益区段包括增益电极,利用至少调制射频信号用于驱动增益区段,以及光栅区段包括光栅电极,独立于增益区段的调制利用直流偏置电流驱动光栅区段。因此,半导体激光器利用调制射频信号直接被调制,此调制未明显影响衍射光栅中的折射率,从而减少啁啾。
Public/Granted literature
- CN107454990A 具有独立调制光栅区段以减少啁啾的双区段半导体激光器 Public/Granted day:2017-12-08
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