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    具有集成加热区域的半导体激光二极管
    1.
    发明授权
    具有集成加热区域的半导体激光二极管 有权

    公开(公告)号：CN107113061B

    公开(公告)日：2020-02-14

    申请号：CN201580062299.6

    申请日：2015-09-30

    申请人： 祥茂光电科技股份有限公司

    发明人： 郑军 ,  克劳斯·亚历山大·安索姆 ,  张焕林 ,  章鸿伦

    IPC分类号： H04B10/40 ,  H01S3/04 ,  H01S5/12

    摘要： 具有集成加热的半导体激光二极管通常包括集成在同一半导体结构或芯片中的激光区域和加热区域。激光区域和加热区域分别包括形成半导体结构的半导体层的第一和第二部分，并且分别包括由半导体层形成的有源区的第一和第二部分。单独的激光电极和加热器电极电连接到相应的激光区域和加热区域，用以使用驱动电流驱动相应的激光区域和加热区域。因此，加热区域可独立于激光区域受到驱动，并且热可通过半导体层从加热区域传导到激光区域，从而能够更有效地控制温度。

    具有集成加热区域的半导体激光二极管
    3.
    发明公开
    具有集成加热区域的半导体激光二极管 有权

    公开(公告)号：CN107113061A

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201580062299.6

    申请日：2015-09-30

    申请人： 祥茂光电科技股份有限公司

    发明人： 郑军 ,  克劳斯·亚历山大·安索姆 ,  张焕林 ,  章鸿伦

    IPC分类号： H04B10/40 ,  H01S3/04 ,  H01S5/12

    摘要： 具有集成加热的半导体激光二极管通常包括集成在同一半导体结构或芯片中的激光区域和加热区域。激光区域和加热区域分别包括形成半导体结构的半导体层的第一和第二部分，并且分别包括由半导体层形成的有源区的第一和第二部分。单独的激光电极和加热器电极电连接到相应的激光区域和加热区域，用以使用驱动电流驱动相应的激光区域和加热区域。因此，加热区域可独立于激光区域受到驱动，并且热可通过半导体层从加热区域传导到激光区域，从而能够更有效地控制温度。

    多段高功率半导体光放大器及其制造方法
    7.
    发明公开
    多段高功率半导体光放大器及其制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118232169A

    公开(公告)日：2024-06-21

    申请号：CN202311599554.3

    申请日：2023-11-27

    申请人： 美商祥茂光电科技股份有限公司

    发明人： 徐大鹏 ,  克劳斯·亚历山大·安索姆 ,  张焕林

    IPC分类号： H01S5/50

    摘要： 多段半导体光放大器(SOA)包括至少两个串联的部分—输入侧的输入段和输出侧的输出段—其中输入部分具有较高的光限制(也称为高伽马)，且输出段具有较低光学限制(也称为低伽马)。输入段的长度也可比输出段的长度短。多段结构允许分别优化输入侧和输出侧设计，使得输入段提供用于快速增加光功率的高增益段，且输出段提供提高饱和度的低微分增益段。因此，多段半导体光放大器可以在要求较低的输入功率的同时，以较低的信噪比实现较高的输出功率。