发明公开
CN107507810A 半导体器件及半导体器件的制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 半导体器件及半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
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申请号: CN201710288383.0申请日: 2017-04-27
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公开(公告)号: CN107507810A公开(公告)日: 2017-12-22
- 发明人: 松原义久
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 杨宏军; 李文屿
- 优先权: 2016-118243 2016.06.14 JP
- 主分类号: H01L23/367
- IPC分类号: H01L23/367 ; H01L23/373 ; H01L21/50 ; H01L21/48
摘要:
本发明涉及半导体器件及其制造方法。目的在于提高半导体器件的性能。具有半导体芯片(CH)和散热部(散热器)的半导体器件按以下方式构成。散热部(散热器)具有树脂带(R1)和从该树脂带突出的由石墨片形成的散热片(GF),散热片具有石墨烯,散热片以石墨烯在与半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置于所述半导体芯片上。该散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。作为上述散热片的构成材料,通过使用石墨烯,导热性提高且散热性提高。此外,由于使散热片从树脂带飞出,因此散热片的露出面积提高,能够提高散热性。
IPC分类: