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公开(公告)号：CN107871671A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710822938.5
申请日：2017-09-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在确保半导体衬底中的布线板的强度的同时，提高了热导率。一种BGA包括具有上表面和下表面的布线板，安装在布线板的上表面上的半导体芯片，以及作为设置在布线板的下表面上的多个外部端子的球电极。布线板包括布置在布线层之间的绝缘层。绝缘层包括树脂层、另一层树脂层，和布置在树脂层和另一层树脂层之间的导电层。导电层由石墨片和金属层的叠层形成。
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公开(公告)号：CN107507810A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710288383.0
申请日：2017-04-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松原义久
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/3738 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/3128 , H01L23/3164 , H01L23/3185 , H01L23/3672 , H01L23/373 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16157 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83862 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。目的在于提高半导体器件的性能。具有半导体芯片(CH)和散热部(散热器)的半导体器件按以下方式构成。散热部(散热器)具有树脂带(R1)和从该树脂带突出的由石墨片形成的散热片(GF)，散热片具有石墨烯，散热片以石墨烯在与半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置于所述半导体芯片上。该散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。作为上述散热片的构成材料，通过使用石墨烯，导热性提高且散热性提高。此外，由于使散热片从树脂带飞出，因此散热片的露出面积提高，能够提高散热性。
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公开(公告)号：CN102270641B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110205379.6
申请日：2009-07-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松原义久
IPC: H01L27/108 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明涉及半导体器件。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102270641A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110205379.6
申请日：2009-07-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松原义久
IPC: H01L27/108 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明涉及半导体器件。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101626022B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910140221.8
申请日：2009-07-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松原义久
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/8234 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。
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公开(公告)号：CN107039362A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611035882.0
申请日：2016-11-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松原义久
CPC classification number: H01L23/3733 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/373 , H01L23/4334 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/04042 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45686 , H01L2224/45687 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/32245 , H01L2924/00 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/3121
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件的性能得到改善。将石墨烯颗粒混合添加到覆盖半导体芯片的密封树脂中。石墨烯颗粒因此混合添加到密封树脂中，由此改善了密封树脂的热传导，因此可以改善半导体器件的辐射性能。石墨烯是具有单层厚度的sp2键合碳原子的板。石墨烯具有这样的结构，其中，平面扩展六角形栅格，每个六角形栅格由碳原子和碳原子的键形成。石墨烯因为其热导率高和重量轻而优选用作传热填料。
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公开(公告)号：CN105826293A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610058599.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。实现半导体器件的性能的改善。半导体器件包括形成在衬底的上表面中的MISFET、叠置在衬底的上表面上方的多个布线层以及多个插塞，每一个插塞将布线层中的两个布线层彼此耦合。位于最上布线层下发的布线层包括导线。最上布线层包括焊盘、形成在焊盘上方的绝缘膜以及延伸穿过绝缘膜并到达焊盘的开口。在平面图中，MISFET和导线与开口重叠。在平面图中，多个插塞中没有一个与开口重叠。
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公开(公告)号：CN101471379B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810188589.7
申请日：2008-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L27/10894 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造工艺。半导体器件(100)包括使用后栅极工艺形成的第一栅极(210)。第一栅极(210)包括：在绝缘膜中形成的第一凹入部分中的底表面上形成的栅绝缘膜；形成在第一凹入部分中的栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在第一凹入部分中的栅电极上的保护绝缘膜(140)。另外，该半导体器件(100)包括接触(134)，该接触(134)耦合到第一栅极(210)两侧上的N型杂质扩散区(116a)，并且掩埋在直径比第一凹入部分更大的第二凹入部分中。
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公开(公告)号：CN101355081B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810145943.8
申请日：2005-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/118 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/11807 , G03F7/70358 , G03F7/709 , H01L27/0207
Abstract: 扩大互连的工艺裕度，以最小化在扫描型曝光设备的扫描移动期间产生的振动的影响。在半导体器件中，在包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中，以相同的取向布置处理大量的数据的互连，即经常使用的互连，使得互连的纵向对准扫描型曝光设备的扫描方向。因而，用图形的纵向对准振动方向能够最小化由振动引起的位置偏差。
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