发明授权
CN107523811B 一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
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申请号: CN201710679857.4申请日: 2017-08-10
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公开(公告)号: CN107523811B公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 胡一说 , 曾祥斌 , 王文照 , 吴少雄 , 徐素娥 , 曾洋 , 李寒剑
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 李智; 曹葆青
- 主分类号: C23C18/14
- IPC分类号: C23C18/14
摘要:
本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法,其中制备方法包括:将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液,A为五氯化钼或者四氯化钨,B为硫脲或者硒脲,C为异丙醇、乙醇或者甲醇,将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上;用激光器照射置于硅片表面的前驱体,激光器输出功率为20W~200W,照射时间0.02s~2s,照射在真空环境或惰性气氛环境下进行,得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜,其工艺流程简单,可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜,适合大批量生产。
公开/授权文献
- CN107523811A 一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法 公开/授权日:2017-12-29
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