Invention Grant
- Patent Title: 半导体开关控制装置
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Application No.: CN201710516844.5Application Date: 2017-06-29
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Publication No.: CN107565518BPublication Date: 2019-03-15
- Inventor: 森本充晃 , 大石英一郎
- Applicant: 矢崎总业株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 矢崎总业株式会社
- Current Assignee: 矢崎总业株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京奉思知识产权代理有限公司
- Agent 吴立; 邹轶鲛
- Priority: 2016-131731 2016.07.01 JP
- Main IPC: H02H7/20
- IPC: H02H7/20 ; H02H1/00
Abstract:
提供一种能够准确判定半导体开关的温度状态的半导体开关控制装置。半导体开关控制装置(1)的FET(12)与FET(11)相邻配置，源极端子彼此串联连接，FET(12)的漏极端子与高电压电池(3)连接，FET(11)的漏极端子与高电压负载(2)连接。而且，控制部(50)基于FET(12)的体二极管(D2)的正向电压Vfa，判定包含FET(11)的负侧主继电器(10B)的温度状态。
Public/Granted literature
- CN107565518A 半导体开关控制装置 Public/Granted day:2018-01-09
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IPC分类:
