- 专利标题: 一种金刚线切割废料制备高品质碳化硅的方法
- 专利标题(英): Method for preparing high-quality silicon carbide through diamond wire cutting waste material
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申请号: CN201711057626.6申请日: 2017-11-01
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公开(公告)号: CN107651690A公开(公告)日: 2018-02-02
- 发明人: 邢鹏飞 , 姜胜南 , 魏冬卉 , 崔晓华 , 孔剑 , 高波 , 都兴红 , 冯忠宝
- 申请人: 东北大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市浑南区创新路195号
- 专利权人: 东北大学
- 当前专利权人: 东北大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市浑南区创新路195号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 陈玲玉; 梅洪玉
- 主分类号: C01B32/984
- IPC分类号: C01B32/984
摘要:
本发明属于二次资源利用的技术领域,涉及一种金刚线切割废料制备高品质碳化硅的方法。其解决了金刚线切割废料处置的问题,其特征是直接向切割废料中按重量比配入碳质还原剂、催化剂和粘结剂,均匀混料后压制球团,将压制好的球团烘干,放入高温反应炉进行反应,制备出碳化硅结晶块,最后将碳化硅结晶块破碎、酸洗、干燥制得高品质碳化硅粉。本发明不仅对金刚线切割废料的利用率高,生产成本低,能源消耗少,而且生产的碳化硅纯度高、品质好。具有很高的商业价值。
公开/授权文献
- CN107651690B 一种金刚线切割废料制备高品质碳化硅的方法 公开/授权日:2019-09-27