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公开(公告)号：CN115676833B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110857956.3
申请日：2021-07-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种提高碳化硅粉料合成效率的方法，包括：提供掺杂粉料、碳粉和硅粉，掺杂粉料为不污染碳化硅粉料的材料，且掺杂粉料的热导率大于碳粉的热导率；将碳粉、硅粉以及掺杂粉料按照预设的混料方式及预设的装填方式装入坩埚内，掺杂粉料用于降低坩埚内原料合成碳化硅粉料过程中的径向温度梯度；将坩埚放入碳化硅合成装置中，并基于自蔓延法进行碳化硅合成工艺。实现降低所述坩埚内原料合成碳化硅粉料过程中的径向温度梯度，提高碳化硅粉料的合成效率。
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公开(公告)号：CN118684229A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411161931.X
申请日：2024-08-22
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： C01B32/984 , C01B32/97 , B01J6/00
摘要： 本发明提供了一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法。本发明的生长装置包括气相控制室和设置于气相控制室腔体内部的碳化硅生长室；所述气相控制室包括腔体和设置于腔体顶部的隔绝盖；所述碳化硅生长室包括生长容器和设置于生长容器顶部的开孔基板。本发明装置实现了无惰性气氛保护下碳化硅多孔隔热材料的生长，整个制备流程简单、设备要求低，在普通的马弗炉中即可完成碳化硅生长，无需气压烧结炉等高端设备。
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公开(公告)号：CN115959670B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211627554.5
申请日：2022-12-16
申请人： 中国科学院广州能源研究所
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种废旧轻质光伏组件热解回收产物并制备碳化硅的方法，利用废旧轻质光伏组件热解产物中的非金属组分作为基体材料制备碳化硅的新方法，该方法能够实现废旧轻质光伏组件的全组分高效回收和高值利用，具有工艺简单、资源利用率高及环境友好等特点，可应用于轻质光伏组件的大规模回收，解决了现有技术没有实现废旧轻质光伏组件的全组分高效回收和高值利用的问题，也解决了现有技术采用高纯度硅砂和无烟煤做碳化硅的制备原料导致碳化硅生产成本较高问题。
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公开(公告)号：CN118458778A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410535478.8
申请日：2024-04-30
申请人： 浙大宁波理工学院
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种合成碳化硅粉料的方法，包括以下步骤：S1：选取硅原料进行破碎，得到硅颗粒；S2：将所述步骤S1得到的硅颗粒腐蚀处理后得到多孔硅颗粒；S3：将所述步骤S2得到多孔硅颗粒与碳粉以(1.2‑1)：1的摩尔比混合后放入石墨坩埚中；S4：将所述步骤S3处理后的石墨坩埚进行二次升温加热处理，第一次加热至1000～1300℃进行反应，随后第二次加热至1800～2100℃进行反应；S5：待所述石墨坩埚降温后，得到碳化硅合成料块，完成处理。通过本发明的方法，解决了现有技术中存在的粒径小、产率低、原料利用率低且不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN118376104A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410496508.9
申请日：2024-04-24
申请人： 中电化合物半导体有限公司
IPC分类号： F27D27/00 , C01B32/984 , F27B14/10
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成装置及碳化硅粉料的合成方法，该碳化硅粉料合成装置包括炉体、石墨坩埚、感应加热装置和搅拌棒；所述炉体具有容纳腔；所述石墨坩埚设置于所述容纳腔；所述感应加热装置包括感应线圈，所述感应线圈环设于所述炉体的外周，以对位于所述容纳腔内的所述石墨坩埚进行加热；所述搅拌棒包括支撑部和搅拌部，所述支撑部安装于所述炉体，所述搅拌部伸入至所述石墨坩埚的内部；其中，所述搅拌部相对于所述石墨坩埚转动连接。本发明可以改善碳化硅粉料合成过程中容易产生结块的现象，因此可以提高碳化硅粉料的目标尺寸颗粒产量。
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公开(公告)号：CN118306999A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410309053.5
申请日：2024-03-18
申请人： 厦门福纳新材料科技有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C01B32/97
摘要： 本发明涉及一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，包括以下步骤：S1，在反应室1放置碳源，加热碳源，获得气态单质碳，所述碳源为高纯富勒烯；S2，在反应室2放置硅源，加热硅源，加热到1100～1900℃；S3，在惰性气体氛围保护下，气态单质碳流入反应室2中，保温反应4‑10h，所述气态单质碳和所述硅源反应，反应完成后进行冷却，得到碳化硅。该方法制备得到的碳化硅具有大颗粒和高纯度的特点，有利于提高半导体材料的性能，具有极好的工业运用前景。
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公开(公告)号：CN118079814A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410191723.8
申请日：2024-02-21
申请人： 江苏集芯先进材料有限公司
发明人： 李远田
IPC分类号： B01J19/00 , C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种高纯、低氮、大粒径碳化硅粉的制备装置，其内部由外至内依次同轴设置有感应线圈、石英管、外坩埚和内坩埚，石英管上下两端分别通过上法兰盘和下法兰盘密封，上法兰盘上安装有工艺气体接口一和工艺气体接口二；内坩埚与外坩埚之间设置有内部热场，外坩埚外部包裹有外部热场，内坩埚内置有隔离坩埚，隔离坩埚的外壁紧贴内坩埚的内壁；外坩埚连通有石墨管一，石墨管一连接有石墨管二，石墨管二通过不锈钢输气管连接上法兰盘的工艺气体接口二。本发明制备方法基于上述装置，由于本发明内部热场与外部热场通过外坩埚隔开，能够降低外部热场的氮源及杂质对内部热场的影响，因此，能够制备出高纯、低氮、大粒径的碳化硅粉。
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公开(公告)号：CN116553554B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310433994.5
申请日：2023-04-21
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 碳化硅粉料合成方法，属于碳化硅合成技术领域，具体涉及一种新型的碳化硅粉料的合成方法。本发明的方法首先将硅粉进行研磨筛分，并与碳粉混合均匀，并加入稳定剂硅化铈；把混好的料放入钽坩埚内抽真空，开启加热设备升温度充入氩气，让原料中的氮杂质与钽坩埚反应，生成氮化钽；继续升高温度让碳粉与硅粉充分反应生成反应生成α‑SiC粉料；反应室抽气，使炉内气压下降，继续提高温度，直至反应完成，然后逐渐降温至室温，结束反应。本发明的方法，用于半绝缘型碳化硅粉料的合成效果较好，合成粉料中消除了硅和碳单质，合成的粒径更大。
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公开(公告)号：CN117936744A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410115105.5
申请日：2024-01-26
申请人： 华东交通大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054 , C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种磷‑碳化硅‑碳复合材料的制备方法及应用，属于能源材料技术领域，包括如下步骤：S1：以适量的高纯磷、硅粉和碳材料的混合物为原料，进行球磨处理；S2：将S1中球磨后得到的混合物于一定压力下进行压片处理；S3：将S2中压片处理后的混合物和单质碘于一定压力下真空密封，后经高温反应，即可得到磷‑碳化硅‑碳复合材料。本发明采用上述的一种磷‑碳化硅‑碳复合材料的制备方法及应用，该制备方法新颖独特、简单高效，本发明方法制备的磷‑碳化硅‑碳复合材料具备较好导电性，在锂/钠离子电池、高频器件、电催化和阻燃等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117923495A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311789610.X
申请日：2023-12-22
申请人： 中山中晶半导体材料有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明涉及碳化硅单晶生长用高纯碳化硅原料合成领域，具体涉及一种高纯碳化硅原料的合成方法，包括以下步骤：步骤一，硅粒或者硅块为硅源放入内坩埚的底部区域，块状石墨为碳源放入内坩埚与外坩埚所围成空腔的底部区域，并将所述外坩埚置于合成炉中，将炉腔抽真空后升温至1000～1300℃，恒温5～10小时；步骤二，向炉腔中通入氢气比例为5％～10％的氢气与氩气的混合气体后，将炉腔温度升至2200～2500℃，反应5～10小时，得到碳化硅原料。通过本发明可以在成本较低的情况下获得适用于高纯半绝缘碳化硅晶体生长的氮杂质少的高纯度的碳化硅原料。
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