发明授权
- 专利标题: 发光二极管和用于制造发光二极管的方法
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申请号: CN201680035722.8申请日: 2016-06-16
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公开(公告)号: CN107750402B公开(公告)日: 2020-03-13
- 发明人: 西格弗里德·赫尔曼
- 申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址: 德国雷根斯堡
- 专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 德国雷根斯堡
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 丁永凡; 张春水
- 优先权: 102015109852.0 2015.06.19 DE
- 国际申请: PCT/EP2016/063917 2016.06.16
- 国际公布: WO2016/202934 DE 2016.12.22
- 进入国家日期: 2017-12-18
- 主分类号: H01L33/48
- IPC分类号: H01L33/48 ; H01L33/54 ; H01L33/60
摘要:
提出一种发光二极管(100),所述发光二极管具有光电子半导体芯片(1),所述光电子半导体芯片具有辐射侧(16)、与辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于辐射侧(16)伸展的侧面(15)。在接触侧(12)上安置有用于外部电接触半导体芯片(1)的第一接触元件(10)。此外,发光二极管(100)包括透明的实心体(2)以及覆盖元件(3)。在正常运行中,半导体芯片(1)经由辐射侧(16)沿着横向于辐射侧(16)伸展的主发射方向(17)发射电磁辐射。在此,半导体芯片(1)嵌入到实心体(2)中,其中侧面(15)和辐射侧(16)由实心体(2)形状配合地覆盖。实心体(2)沿着主发射方向(17)扩宽。覆盖元件(3)沿主发射方向(17)设置在实心体(2)的下游,并且直接地施加到实心体(2)上。覆盖元件(3)的背离实心体(2)的一侧构成为发光二极管(100)的辐射出射面(30)。第一接触元件(10)在发光二极管(100)的未安装和/或未接触的状态下露出。
公开/授权文献
- CN107750402A 发光二极管和用于制造发光二极管的方法 公开/授权日:2018-03-02
IPC分类: