发明授权
CN107790737B 锂插层法制备锑烯
失效 - 权利终止
- 专利标题: 锂插层法制备锑烯
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申请号: CN201711216503.2申请日: 2017-11-28
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公开(公告)号: CN107790737B公开(公告)日: 2019-10-18
- 发明人: 曾海波 , 高玉杰 , 宋秀峰 , 张侃 , 霍成学 , 蒋连福
- 申请人: 南京理工大学
- 申请人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 代理机构: 南京理工大学专利中心
- 代理商 刘海霞
- 主分类号: B22F9/16
- IPC分类号: B22F9/16 ; B22F1/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种锂插层法制备锑烯。所述方法先将正丁基锂的己烷溶液与锑粉放在高压反应釜中水热,一方面形成Li3Sb,另一方面Li+插入层间,然后加入异丙醇的水溶液反应,此时会生成SbH3和H2两种气体,一定程度地破坏层间的范德华力,最后超声辅助成片。本发明方法效率高、产率高、可重复性高,制得的锑烯尺寸大,可以实现少层锑烯的大规模制备。
公开/授权文献
- CN107790737A 锂插层法制备锑烯 公开/授权日:2018-03-13