- 专利标题: 一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
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申请号: CN201711066157.4申请日: 2017-11-02
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公开(公告)号: CN107805067B公开(公告)日: 2021-01-12
- 发明人: 党明召 , 任海深 , 谢天毅 , 彭海益 , 姜少虎 , 姚晓刚 , 赵相毓 , 林慧兴
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg2SiO4‑(1‑x)MgTa2O6+y wt%B,所述B为ZnO、CuO、Al2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2、Nb2O5、Sb2O5和WO3中的至少一种,其中x代表Mg2SiO4占Mg2SiO4和MgTa2O6总摩尔量的百分数,0<x<1;y代表B占Mg2SiO4和MgTa2O6的总质量的百分数,0≤y≤5。
公开/授权文献
- CN107805067A 一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2018-03-16
IPC分类: