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公开(公告)号:CN107382313B
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201710407942.5
申请日:2017-06-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法。钽酸镁系微波介质陶瓷的化学通式为Mg2.5+xTaNbO7.5+x+y wt% B2O3+z wt% C,其中0≤x≤0.2,B2O3的重量百分含量y wt%以Mg2.5+xTaNbO7.5+x的重量为100%计,1≤y≤2,C的重量百分含量z wt%以Mg2.5+xTaNbO7.5+x和B2O3的重量之和为100%计,0≤z≤1;其中C为ZnO、CuO、Al2O3、MnO2、WO3、ZrO2和SnO2中的至少一种。利用Mg元素和Nb元素对钽酸镁系微波介质陶瓷的介电常数进行调节,其频率温度系数也可以做出相应的调整。
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公开(公告)号:CN107805067B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201711066157.4
申请日:2017-11-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg2SiO4‑(1‑x)MgTa2O6+y wt%B,所述B为ZnO、CuO、Al2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2、Nb2O5、Sb2O5和WO3中的至少一种,其中x代表Mg2SiO4占Mg2SiO4和MgTa2O6总摩尔量的百分数,0<x<1;y代表B占Mg2SiO4和MgTa2O6的总质量的百分数,0≤y≤5。
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公开(公告)号:CN107805067A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:CN201711066157.4
申请日:2017-11-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg2SiO4-(1-x)MgTa2O6+y wt%B,所述B为ZnO、CuO、Al2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2、Nb2O5、Sb2O5和WO3中的至少一种,其中x代表Mg2SiO4占Mg2SiO4和MgTa2O6总摩尔量的百分数,0<x<1;y代表B占Mg2SiO4和MgTa2O6的总质量的百分数,0≤y≤5。
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公开(公告)号:CN107382313A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710407942.5
申请日:2017-06-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法。钽酸镁系微波介质陶瓷的化学通式为Mg2.5+xTaNbO7.5+x+y wt%B2O3+z wt%C,其中0≤x≤0.2,B2O3的重量百分含量y wt%以Mg2.5+xTaNbO7.5+x的重量为100%计,1≤y≤2,C的重量百分含量z wt%以Mg2.5+xTaNbO7.5+x和B2O3的重量之和为100%计,0≤z≤1;其中C为ZnO、CuO、Al2O3、MnO2、WO3、ZrO2和SnO2中的至少一种。利用Mg元素和Nb元素对钽酸镁系微波介质陶瓷的介电常数进行调节,其频率温度系数也可以做出相应的调整。
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