一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法,加速度计芯片采用SOI硅片制造,由四个相同的传感器子单元绕芯片中心旋转布置而成,每个子单元包括质量块、支撑梁、敏感梁、铰链梁、导线和焊盘,质量块通过支撑梁与芯片外框连接,两质量块通过铰链梁连接,两根敏感梁对称分布于铰链梁两侧,导线与焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路;芯片外框键合于底层玻璃板上。一组传感器子单元为一组测量x方向的加速度,另一组测量y方向的加速度。该加速度计芯片能够实现100g以下两轴加速度的分离测量,其固有频率大于25kHz,在无放大条件下灵敏度大于0.9mV/g/3V,具有良好的性能。
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