薄膜晶体管及其制备方法、电子设备

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专利标题： 薄膜晶体管及其制备方法、电子设备
专利标题（英）： Thin film transistor, preparation method of, electronic device
申请号： CN201711021725.9

申请日： 2017-10-27
公开(公告)号： CN107845687A

公开(公告)日： 2018-03-27
发明人: 李广耀 , 袁广才 , 王东方 , 汪军 , 王庆贺 , 刘宁
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
申请人地址： 安徽省合肥市新站区工业园内
专利权人： 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
当前专利权人： 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区工业园内
代理机构： 北京博思佳知识产权代理有限公司
代理商 林祥
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L29/16

摘要：

本发明涉及薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，该薄膜晶体管包括衬底及设置在衬底上的有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。根据本发明的实施例的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，该TFT具有良好的电学性能。

摘要（英）：

The invention relates to a thin film transistor, a preparation method thereof and an electronic device. The thin film transistor comprises a substrate and an active layer disposed on the substrate, wherein the active layer is made of at least two layers of a graphene-like two-dimensional semiconductor material. According to the embodiments of the invention, the thin film transistor of the presentinvention has high electron mobility and has good electrical properties.

公开/授权文献

CN107845687B 薄膜晶体管及其制备方法、电子设备公开/授权日：2021-10-29

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管