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公开(公告)号：CN110518072B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910809777.5
申请日：2019-08-29
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H10K59/12 , H01L21/336
摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法和显示装置。薄膜晶体管包括在基底上叠设的第一栅电极、导体转换层和第二栅电极，所述导体转换层分别与所述第一栅电极和第二栅电极连接，所述导体转换层用于通过在绝缘状态和导电状态之间转换使所述薄膜晶体管形成单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管。本发明通过设置导体转换层且导体转换层与第一栅电极和第二栅电极连接，利用导体转换层在绝缘状态和导电状态之间转换，实现单栅薄膜晶体管‑双栅薄膜晶体管的转换，有效降低了薄膜晶体管的能耗，提高了薄膜晶体管的寿命。
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公开(公告)号：CN110796976B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201911278192.1
申请日：2019-12-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明实施例提供一种阵列基板的检测方法及检测系统，涉及显示技术领域，可以用于检测第一电源线与第一子像素电路是否断开。阵列基板的检测方法包括向第一电源线输入直流电压，向第一扫描信号线输入信号，第一子像素电路打开，第一电源线的直流电压向发光器件的阳极输入；向第二电源线输入交流电压，向第二扫描信号线输入信号，第二子像素电路打开，第二电源线的交流电压向发光器件的阳极输入；检测发光器件的阳极的电压，判断阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值是否大于预设电压值，阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，第一子像素电路与第一电源线断开；直流电压和交流电压在写入阶段的电压的差值的绝对值大于预设电压值。
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公开(公告)号：CN111477134B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010368144.8
申请日：2020-04-30
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/00 , G09G3/3225
摘要： 本申请提供了一种显示用基板的检测方法，涉及显示技术领域，能够激发出显示用基板中存在的隐性不良。该显示用基板的检测方法，包括：向多个像素驱动电路中的每个像素驱动电路输入多个信号，以获得像素驱动电路中待检测元件的检测信号；检测信号大于待检测元件的额定工作电压，且小于待检测元件的击穿电压；其中，待检测元件为多个晶体管和至少一个电容中的任一个。
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公开(公告)号：CN111292660B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010089322.3
申请日：2020-02-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明公开了一种OLED驱动背板、其检测方法及显示装置，通过在该OLED驱动背板非显示区的源漏金属层设置第一检测焊盘和第二检测焊盘，且第一检测焊盘与第一传输信号线在源漏金属层直接电连接，第二检测焊盘与第二传输信号线在源漏金属层直接电连接。这样OLED驱动背板在源漏金属层时就可进行Array Test，使得OLED驱动背板的GOA区和显示区点不良在源漏金属层时实现检出，以提高GOA区和显示区的良率。
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公开(公告)号：CN111081180B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010053738.X
申请日：2020-01-17
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其检测方法及显示装置，由于在栅极驱动电路中设置了与每一级移位寄存单元一一对应的检测单元；当各级移位寄存单元逐级输出信号时，各检测单元中的第一电容在检测输入模块的控制下进行充电，且利用输出控制模块使检测单元与对应级的移位寄存单元的上拉节点断开。当各级移位寄存单元均输出完成后，停止触发各级移位寄存单元，输出控制模块在第二控制端和第一电容的控制下将第一电源电压端的信号提供给对应级移位寄存单元的上拉节点，从而利用检测单元控制对应级移位寄存单元的输出。而各检测单元中的输出控制模块可以被独立控制，因此增加检测单元可以实现逐行检测或随机行检测的功能。
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公开(公告)号：CN110797351B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911087102.0
申请日：2019-11-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ITO等工艺过程中产生Particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本发明只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。
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公开(公告)号：CN109728098B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910005159.5
申请日：2019-01-03
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/41
摘要： 本公开提供了一种薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统，其中，该薄膜晶体管包括：第一绝缘层、栅极、有源层、源极组件和漏极组件，第一绝缘层包括相对设置的第一面和第二面；栅极设置在第一绝缘层的第一面上；有源层设置在第一绝缘层的第二面上，有源层用于与待检测体内的铜离子反应；源极组件和漏极组件均设置在第一绝缘层的第二面上且分别位于有源层相对的两侧；该传感器包括电源、信号生成模块及如上的薄膜晶体管，电源分别与信号生成模块和薄膜晶体管连接；薄膜晶体管，用于与待检测体内的铜离子反应并生成检测信号；信号生成模块，用于基于检测信号生成体外可识别的通讯消息。本发明实施例能够检测待检测体内的铜离子浓度。
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公开(公告)号：CN110491884B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910773484.6
申请日：2019-08-21
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种显示基板及制造方法、显示装置，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示基板中数据线与驱动电容之间短路风险较高的问题。本发明的显示基板中，显示功能层包括至少一个加强导体结构，每个加强导体结构对应一条数据线，加强导体结构与驱动晶体管的栅极同层设置，加强导体结构的沿第二方向的两端通过第一过孔与对应的数据线电连接，每个加强导体结构至少与一个驱动电容的第一极相对，数据线划分有第一子段和第二子段，第一子段的数据线宽度小于第二子段的数据线宽度，第一子段与加强导体结构所对应的驱动电容的第一极具有相对区域。
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公开(公告)号：CN108807551B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810726715.3
申请日：2018-07-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , G01J1/42 , G01L1/16 , G01L9/08
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法，用以提高薄膜晶体管的感光性能和感压性能，从而有利于提高检测压力或光照时的精度。本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，所述半导体层的材料包括二碲化钼。
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公开(公告)号：CN109119356B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810960263.5
申请日：2018-08-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种阵列基板的检测设备及检测方法，属于显示技术领域。阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：驱动电路，用于向阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；发光器件，发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的多个发光单元；测试机构，用于将发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极电连接，向发光器件的第二电极输入预设电信号；处理机构，用于获取发光器件发出光线的光学信息，根据光学信息判断阵列基板是否存在电学不良。本发明能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配。
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