Invention Publication
CN107851610A 搭载二次电池的芯片的制造方法
无效 - 撤回
- Patent Title: 搭载二次电池的芯片的制造方法
- Patent Title (English): Secondary battery mounted chip manufacturing method
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Application No.: CN201680045200.6Application Date: 2016-06-20
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Publication No.: CN107851610APublication Date: 2018-03-27
- Inventor: 津国和之 , 井上龙雄 , 斋藤友和 , 小笠原树里 , 殿川孝司 , 工藤拓夫
- Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
- Current Assignee: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京银龙知识产权代理有限公司
- Agent 金鲜英; 陈彦
- Priority: 2015-152490 2015.07.31 JP
- International Application: PCT/JP2016/068219 2016.06.20
- International Announcement: WO2017/022347 JA 2017.02.09
- Date entered country: 2018-01-31
- Main IPC: H01L21/822
- IPC: H01L21/822 ; H01L21/8234 ; H01L27/04 ; H01L27/06

Abstract:
提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法,具备:层叠工序,其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池;以及,分割工序,其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池,进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻,从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50-1、50-2)。
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