制造二次电池的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107735877B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201680037148.X

    申请日:2016-05-17

    Abstract: 本发明提供一种用于制造二次电池的方法,二次电池具有充电层,充电层因通过在被绝缘材料覆盖的n型金属氧化物半导体上引起光激结构变化而在带隙中形成能级来捕获电子,该方法包括:涂布工序(S1),涂布涂层液,以形成包括将成为充电层(18)的成分的涂层膜;干燥工序(S2),通过干燥在涂布工序(S1)中涂布的涂层液来形成干燥涂层膜;UV照射工序(S3),通过用紫外线照射经由干燥工序(S2)获得的干燥涂层膜来形成UV照射涂层膜;以及煅烧工序(S5),在通过重复包括涂布工序(S1)、干燥工序(S2)和照射工序(S3)的组多次,形成多个UV照射涂层膜之后,煅烧所述多个UV照射涂层膜。

    二次电池的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109314183A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780029956.6

    申请日:2017-04-05

    Abstract: 本发明提供一种能够增大放电容量的二次电池的制造方法。根据本申请的二次电池的制造方法,在依次层叠了第一电极(12)、由n型金属氧化物半导体形成的n型金属氧化物半导体层(14)、由n型金属氧化物半导体与绝缘体形成的充电层(16)、以绝缘体为主要成分的中间绝缘层(18)、由p型金属氧化物半导体形成的p型金属氧化物半导体层(22)和第二电极(24)之后,依次以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加正电压的第一步骤、以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加0V的第二步骤进行反复的反复步骤作为第1单位循环,反复进行预定数量的第1单位循环。

    二次电池及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113016087A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201980074668.1

    申请日:2019-11-07

    Abstract: 本发明提供了一种用于改善二次电池的性能的技术。本实施方式的二次电池(100)包括:第一电极(21);第二电极(22);第一层(11),其设置在第一电极(21)上,并且包含第一n型氧化物半导体;第二层(12),其设置在第一层上(11),并且包含第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料;第三层(13),其设置在第二层(12)上,并且包含氧化钽;以及第四层(14),其设置在第三层(13)上,并且包含第二绝缘材料。

    二次电池以及二次电池的制造方法

    公开(公告)号:CN108028317A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680052124.1

    申请日:2016-08-03

    CPC classification number: H01L49/00 H01M2/20 H01M10/04 Y02E10/549

    Abstract: 本实施方式所涉及的二次电池的制造方法是具有并联连接的多个单位电池(21)的二次电池的制造方法,该制造方法具有:准备具有第一电极层(1)、金属氧化物半导体层(2)、充电层(3)以及第二电极层(5)层叠而成的结构的片状的单位电池(21)的工序;将层叠的多个单位电池(21)并联连接,来形成电池片(30)的工序;测定电池片(30)的容量的工序;以及在容量小于标准值的情况下,将调整容量用的单位电池(21a)与电池片(30)并联连接的工序。

    制造二次电池的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107735877A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201680037148.X

    申请日:2016-05-17

    Abstract: 本发明提供一种用于制造二次电池的方法,二次电池具有充电层,充电层因通过在被绝缘材料覆盖的n型金属氧化物半导体上引起光激结构变化而在带隙中形成能级来捕获电子,该方法包括:涂布工序(S1),涂布涂层液,以形成包括将成为充电层(18)的成分的涂层膜;干燥工序(S2),通过干燥在涂布工序(S1)中涂布的涂层液来形成干燥涂层膜;UV照射工序(S3),通过用紫外线照射经由干燥工序(S2)获得的干燥涂层膜来形成UV照射涂层膜;以及煅烧工序(S5),在通过重复包括涂布工序(S1)、干燥工序(S2)和照射工序(S3)的组多次,形成多个UV照射涂层膜之后,煅烧所述多个UV照射涂层膜。

    二次电池
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110431707A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201880018529.2

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16T),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1金属氧化物形成;第1分离层(18SNS),其配置于第1充电层(16T)上;和,第2导电型的第2氧化物半导体层(24),其配置于第1分离层(18SNS)上。第1充电层(16T)不是由包含硅的材料构成的。在第1充电层(16T)上可以具备配置于第1分离层(18SNS)与第1充电层(16T)之间的第2分离层(18TS)。提供:能降低内阻、能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的二次电池。

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